מפרטי טק IXFN62N80Q3
מפרטים טכניים IXYS - IXFN62N80Q3, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- IXYS - IXFN62N80Q3
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | IXYS Corporation | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 6.5V @ 8mA | |
| Vgs (מקס ') | ±30V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | SOT-227B | |
| סִדרָה | HiPerFET™, Q3 Class | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 140mOhm @ 31A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 960W (Tc) | |
| אריזה / מארז | SOT-227-4, miniBLOC | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Chassis Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 13600 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 270 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 800 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 49A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IXFN62 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- IXYS IXFN62N80Q3.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IXFN62N80Q3 | IXFN55N50 | IXFN60N80P | IXFN52N90P |
| יַצרָן | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS Corporation |
| Vgs (מקס ') | ±30V | ±20V | ±30V | ±30V |
| מספר מוצר בסיס | IXFN62 | IXFN55 | IXFN60 | - |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 6.5V @ 8mA | 4.5V @ 8mA | 5V @ 8mA | 6.5V @ 1mA |
| סוג השמה | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| סִדרָה | HiPerFET™, Q3 Class | HiPerFET™ | HiPerFET™, Polar | Polar™ |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 270 nC @ 10 V | 330 nC @ 10 V | 250 nC @ 10 V | 308nC @ 10V |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 49A (Tc) | 55A (Tc) | 53A (Tc) | 43A (Tc) |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 140mOhm @ 31A, 10V | 90mOhm @ 27.5A, 10V | 140mOhm @ 30A, 10V | 160 mOhm @ 26A, 10V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 800 V | 500 V | 800 V | 900V |
| פיזור הספק (מקס ') | 960W (Tc) | 625W (Tc) | 1040W (Tc) | 890W (Tc) |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| מארז התקן של הספק | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B |
| אריזה / מארז | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 13600 pF @ 25 V | 9400 pF @ 25 V | 18000 pF @ 25 V | 19000pF @ 25V |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tube | - |
הורד IXFN62N80Q3 PDF גיליונות נתונים ותיעוד IXYS עבור IXFN62N80Q3 - IXYS.
IXFN55N50IXYSMOSFET N-CH 500V 55A SOT-227BIXFN70N600LIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN60N80PIXYSMOSFET N-CH 800V 53A SOT-227BIXFN52N90PIXYS CorporationMOSFET N-CH 900V 43A SOT227IXFN60N50L2IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN520N075T2IXYSMOSFET N-CH 75V 480A SOT227BIXFN64N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 61A SOT227BIXFN60N60IXYSMOSFET N-CH 600V 60A SOT-227BIXFN64N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 50A SOT227BIXFN66N85XIXYSMOSFET N-CH 850V 65A SOT227BIXFN66N50Q2IXYSMOSFET N-CH 500V 66A SOT-227BIXFN70N60IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN55N80Q2IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN70N120SKIXYSSICFET N-CH 1200V 68A SOT227BIXFN55N50FIXYSMOSFET N-CH 500V 55A SOT227BIXFN70N6002IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN60N120D1IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN65N90PIXYS / Littelfuse| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.