מפרטי טק IXFN60N60
מפרטים טכניים IXYS - IXFN60N60, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- IXYS - IXFN60N60
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | IXYS Corporation | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4.5V @ 8mA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | SOT-227B | |
| סִדרָה | HiPerFET™ | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 75mOhm @ 500mA, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 700W (Tc) | |
| אריזה / מארז | SOT-227-4, miniBLOC | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Chassis Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 15000 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 380 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 600 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IXFN60 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- IXYS IXFN60N60.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IXFN60N60 | IXFN62N80Q3 | IXFN66N85X | IXFN52N90P |
| יַצרָן | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS Corporation |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 75mOhm @ 500mA, 10V | 140mOhm @ 31A, 10V | 65mOhm @ 33A, 10V | 160 mOhm @ 26A, 10V |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±30V | ±30V | ±30V |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| סִדרָה | HiPerFET™ | HiPerFET™, Q3 Class | HiPerFET™, Ultra X | Polar™ |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4.5V @ 8mA | 6.5V @ 8mA | 5.5V @ 8mA | 6.5V @ 1mA |
| אריזה / מארז | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| סוג השמה | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 380 nC @ 10 V | 270 nC @ 10 V | 230 nC @ 10 V | 308nC @ 10V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) | 49A (Tc) | 65A (Tc) | 43A (Tc) |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tube | - |
| מספר מוצר בסיס | IXFN60 | IXFN62 | IXFN66 | - |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 15000 pF @ 25 V | 13600 pF @ 25 V | 8900 pF @ 25 V | 19000pF @ 25V |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 600 V | 800 V | 850 V | 900V |
| פיזור הספק (מקס ') | 700W (Tc) | 960W (Tc) | 830W (Tc) | 890W (Tc) |
| מארז התקן של הספק | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B |
הורד IXFN60N60 PDF גיליונות נתונים ותיעוד IXYS עבור IXFN60N60 - IXYS.
IXFN62N80Q3IXYSMOSFET N-CH 800V 49A SOT227BIXFN55N80Q2IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN50N60U1IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN66N85XIXYSMOSFET N-CH 850V 65A SOT227BIXFN52N90PIXYS CorporationMOSFET N-CH 900V 43A SOT227IXFN60N80PIXYSMOSFET N-CH 800V 53A SOT-227BIXFN65N90PIXYS / LittelfuseIXFN66N50Q2IXYSMOSFET N-CH 500V 66A SOT-227BIXFN55N50IXYSMOSFET N-CH 500V 55A SOT-227BIXFN60N50L2IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN50N80Q2IXYSMOSFET N-CH 800V 50A SOT-227BIXFN50N800Q2IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN55N50FIXYSMOSFET N-CH 500V 55A SOT227BIXFN70N120SKIXYSSICFET N-CH 1200V 68A SOT227BIXFN520N075T2IXYSMOSFET N-CH 75V 480A SOT227BIXFN64N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 50A SOT227BIXFN60N120D1IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN64N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 61A SOT227B| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.