מפרטי טק IXFN55N50F
מפרטים טכניים IXYS - IXFN55N50F, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- IXYS - IXFN55N50F
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | IXYS Corporation | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 5.5V @ 8mA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | SOT-227B | |
| סִדרָה | HiPerFET™, F Class | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 85mOhm @ 27.5A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 600W (Tc) | |
| אריזה / מארז | SOT-227-4, miniBLOC | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Chassis Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 6700 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 195 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 500 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 55A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IXFN55 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- IXYS IXFN55N50F.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IXFN55N50F | IXFN64N60P | IXFN60N80P | IXFN52N90P |
| יַצרָן | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS Corporation |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| פיזור הספק (מקס ') | 600W (Tc) | 700W (Tc) | 1040W (Tc) | 890W (Tc) |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 55A (Tc) | 50A (Tc) | 53A (Tc) | 43A (Tc) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| מארז התקן של הספק | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| מספר מוצר בסיס | IXFN55 | IXFN64 | IXFN60 | - |
| סִדרָה | HiPerFET™, F Class | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™, Polar | Polar™ |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tube | - |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 5.5V @ 8mA | 5V @ 8mA | 5V @ 8mA | 6.5V @ 1mA |
| סוג השמה | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 500 V | 600 V | 800 V | 900V |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 6700 pF @ 25 V | 12000 pF @ 25 V | 18000 pF @ 25 V | 19000pF @ 25V |
| אריזה / מארז | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 195 nC @ 10 V | 200 nC @ 10 V | 250 nC @ 10 V | 308nC @ 10V |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 85mOhm @ 27.5A, 10V | 96mOhm @ 500mA, 10V | 140mOhm @ 30A, 10V | 160 mOhm @ 26A, 10V |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±30V | ±30V | ±30V |
הורד IXFN55N50F PDF גיליונות נתונים ותיעוד IXYS עבור IXFN55N50F - IXYS.
IXFN64N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 50A SOT227BIXFN60N80PIXYSMOSFET N-CH 800V 53A SOT-227BIXFN52N90PIXYS CorporationMOSFET N-CH 900V 43A SOT227IXFN520N075T2IXYSMOSFET N-CH 75V 480A SOT227BIXFN64N20IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN64N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 61A SOT227BIXFN55N80Q2IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN60N120D1IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN50N50PIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN50N60U1IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN50N120SKIXYSSICFET N-CH 1200V 48A SOT227BIXFN55N50IXYSMOSFET N-CH 500V 55A SOT-227BIXFN50N800Q2IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN50N50IXYSMOSFET N-CH 500V 50A SOT-227BIXFN50N80Q2IXYSMOSFET N-CH 800V 50A SOT-227BIXFN60N50L2IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN60N60IXYSMOSFET N-CH 600V 60A SOT-227BIXFN62N80Q3IXYSMOSFET N-CH 800V 49A SOT227B| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.