מפרטי טק IXFN32N100P
מפרטים טכניים IXYS - IXFN32N100P, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- IXYS - IXFN32N100P
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | IXYS Corporation | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 6.5V @ 1mA | |
| Vgs (מקס ') | ±30V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | SOT-227B | |
| סִדרָה | HiPerFET™, Polar | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 320mOhm @ 16A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 690W (Tc) | |
| אריזה / מארז | SOT-227-4, miniBLOC | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Chassis Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 14200 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 225 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 1000 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IXFN32 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- IXYS IXFN32N100P.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IXFN32N100P | IXFN27N80Q | IXFN340N06 | IXFN280N085 |
| יַצרָן | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 6.5V @ 1mA | 4.5V @ 4mA | 4V @ 8mA | 4V @ 8mA |
| סִדרָה | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™, Q Class | HiPerFET™ | HiPerFET™ |
| Vgs (מקס ') | ±30V | ±20V | ±20V | ±20V |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| אריזה / מארז | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) | 27A (Tc) | 340A (Tc) | 280A (Tc) |
| פיזור הספק (מקס ') | 690W (Tc) | 520W (Tc) | 700W (Tc) | 700W (Tc) |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 1000 V | 800 V | 60 V | 85 V |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tube | Tube |
| מספר מוצר בסיס | IXFN32 | IXFN27 | IXFN340 | IXFN280 |
| מארז התקן של הספק | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 320mOhm @ 16A, 10V | 320mOhm @ 500mA, 10V | 3mOhm @ 100A, 10V | 4.4mOhm @ 100A, 10V |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 225 nC @ 10 V | 170 nC @ 10 V | 600 nC @ 10 V | 580 nC @ 10 V |
| סוג השמה | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 14200 pF @ 25 V | 7600 pF @ 25 V | 16800 pF @ 25 V | 19000 pF @ 25 V |
הורד IXFN32N100P PDF גיליונות נתונים ותיעוד IXYS עבור IXFN32N100P - IXYS.
IXFN27N80QIXYSMOSFET N-CH 800V 27A SOT-227BIXFN340N06IXYSMOSFET N-CH 60V 340A SOT-227BIXFN280N085IXYSMOSFET N-CH 85V 280A SOT-227BIXFN32N60IXYSMOSFET N-CH 600V 32A SOT227BIXFN32N80IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN34N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227BIXFN280N07IXYSMOSFET N-CH 70V 280A SOT-227BIXFN32N120IXYSMOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227BIXFN30N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227BIXFN30N120IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN30N110PIXYSMOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227BIXFN32N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227BIXFN360N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 360A SOT-227BIXFN340N07IXYSMOSFET N-CH 70V 340A SOT-227BIXFN300N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 295A SOT227BIXFN30N50IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN34N80IXYSMOSFET N-CH 800V 34A SOT-227BIXFN29N90IXYS / LittelfuseIGBT Module| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.