מפרטי טק IXFN27N80Q
מפרטים טכניים IXYS - IXFN27N80Q, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- IXYS - IXFN27N80Q
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | IXYS Corporation | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4.5V @ 4mA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | SOT-227B | |
| סִדרָה | HiPerFET™, Q Class | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 320mOhm @ 500mA, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 520W (Tc) | |
| אריזה / מארז | SOT-227-4, miniBLOC | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Chassis Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 7600 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 170 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 800 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IXFN27 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- IXYS IXFN27N80Q.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IXFN27N80Q | IXFN30N110P | IXFN25N90 | IXFN300N10P |
| יַצרָן | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| סִדרָה | HiPerFET™, Q Class | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™ | HiPerFET™, Polar |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4.5V @ 4mA | 6.5V @ 1mA | 5V @ 8mA | 5V @ 8mA |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 320mOhm @ 500mA, 10V | 360mOhm @ 15A, 10V | 330mOhm @ 500mA, 10V | 5.5mOhm @ 50A, 10V |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) | 25A (Tc) | 25A (Tc) | 295A (Tc) |
| מארז התקן של הספק | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| מספר מוצר בסיס | IXFN27 | IXFN30 | IXFN25 | IXFN300 |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| פיזור הספק (מקס ') | 520W (Tc) | 695W (Tc) | 600W (Tc) | 1070W (Tc) |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 170 nC @ 10 V | 235 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V | 279 nC @ 10 V |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 7600 pF @ 25 V | 13600 pF @ 25 V | 10800 pF @ 25 V | 23000 pF @ 25 V |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tube | Tube |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| סוג השמה | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| אריזה / מארז | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±30V | ±20V | ±20V |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 800 V | 1100 V | 900 V | 100 V |
הורד IXFN27N80Q PDF גיליונות נתונים ותיעוד IXYS עבור IXFN27N80Q - IXYS.
IXFN250N06IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN30N110PIXYSMOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227BIXFN25N90IXYSMOSFET N-CH 900V 25A SOT-227BIXFN300N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 295A SOT227BIXFN26N120IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN27N80IXYSMOSFET N-CH 800V 27A SOT-227BIXFN280N085IXYSMOSFET N-CH 85V 280A SOT-227BIXFN26N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227BIXFN280N07IXYSMOSFET N-CH 70V 280A SOT-227BIXFN30N50IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN30N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 30A SOT-227BIXFN280N85IGBT ModuleIXFN30N120IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN26N100PIXYSMOSFET N-CH 1000V 23A SOT-227BIXFN260N17TIXYSMOSFET N-CH 170V 245A SOT227BIXFN26N100IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN26N90IXYSMOSFET N-CH 900V 26A SOT-227BIXFN29N90IXYS / LittelfuseIGBT Module| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.