מפרטי טק IXFN30N120P
מפרטים טכניים IXYS - IXFN30N120P, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- IXYS - IXFN30N120P
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | IXYS Corporation | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 6.5V @ 1mA | |
| Vgs (מקס ') | ±30V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | SOT-227B | |
| סִדרָה | HiPerFET™, Polar | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 350mOhm @ 500mA, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 890W (Tc) | |
| אריזה / מארז | SOT-227-4, miniBLOC | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Chassis Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 19000 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 310 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 1200 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IXFN30 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- IXYS IXFN30N120P.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IXFN30N120P | IXFN32N60 | IXFN340N06 | IXFN34N100 |
| יַצרָן | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) | 32A (Tc) | 340A (Tc) | 34A (Tc) |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| פיזור הספק (מקס ') | 890W (Tc) | 520AW (Tc) | 700W (Tc) | 700W (Tc) |
| אריזה / מארז | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| סִדרָה | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™ | HiPerFET™ | HiPerFET™ |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| סוג השמה | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| Vgs (מקס ') | ±30V | ±20V | ±20V | ±20V |
| מארז התקן של הספק | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tube | Tube |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 310 nC @ 10 V | 325 nC @ 10 V | 600 nC @ 10 V | 380 nC @ 10 V |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 350mOhm @ 500mA, 10V | 250mOhm @ 500mA, 10V | 3mOhm @ 100A, 10V | 280mOhm @ 500mA, 10V |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 1200 V | 600 V | 60 V | 1000 V |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 6.5V @ 1mA | 4.5V @ 8mA | 4V @ 8mA | 5.5V @ 8mA |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 19000 pF @ 25 V | 9000 pF @ 25 V | 16800 pF @ 25 V | 9200 pF @ 25 V |
| מספר מוצר בסיס | IXFN30 | IXFN32 | IXFN340 | IXFN34 |
הורד IXFN30N120P PDF גיליונות נתונים ותיעוד IXYS עבור IXFN30N120P - IXYS.
IXFN280N85IGBT ModuleIXFN32N60IXYSMOSFET N-CH 600V 32A SOT227BIXFN340N06IXYSMOSFET N-CH 60V 340A SOT-227BIXFN34N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 34A SOT-227BIXFN32N80IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN280N07IXYSMOSFET N-CH 70V 280A SOT-227BIXFN30N110PIXYSMOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227BIXFN27N80QIXYSMOSFET N-CH 800V 27A SOT-227BIXFN300N10PIXYSMOSFET N-CH 100V 295A SOT227BIXFN280N085IXYSMOSFET N-CH 85V 280A SOT-227BIXFN30N120IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN27N80IXYSMOSFET N-CH 800V 27A SOT-227BIXFN29N90IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN32N120IXYSMOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227BIXFN32N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227BIXFN340N07IXYSMOSFET N-CH 70V 340A SOT-227BIXFN32N100PIXYSMOSFET N-CH 1000V 27A SOT-227BIXFN30N50IXYS / LittelfuseIGBT Module| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.