מפרטי טק GBL08-E3/51
מפרטים טכניים Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GBL08-E3/51, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GBL08-E3/51
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| מתח - פסגה לאחור (מקס) | 800 V | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1 V @ 2 A | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | |
| מארז התקן של הספק | GBL | |
| סִדרָה | - | |
| אריזה / מארז | 4-SIP, GBL |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| חֲבִילָה | Bulk | |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| סוג דיודה | Single Phase | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 10 µA @ 800 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 3 A | |
| מספר מוצר בסיס | GBL08 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBL08-E3/51.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | GBL08-E3/51 | GBL206 | GBL06-E3/51 | GBL02-E3/51 |
| יַצרָן | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| מארז התקן של הספק | GBL | GBL | GBL | GBL |
| חֲבִילָה | Bulk | Tube | Bulk | Bulk |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | Standard | Standard | Standard |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 3 A | 2 A | 3 A | 3 A |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| סוג דיודה | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| מתח - פסגה לאחור (מקס) | 800 V | 600 V | 600 V | 200 V |
| אריזה / מארז | 4-SIP, GBL | 4-SIP, GBL | 4-SIP, GBL | 4-SIP, GBL |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 10 µA @ 800 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 200 V |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1 V @ 2 A | 1 V @ 1 A | 1.1 V @ 4 A | 1.1 V @ 4 A |
| מספר מוצר בסיס | GBL08 | - | GBL06 | GBL02 |
הורד GBL08-E3/51 PDF גיליונות נתונים ותיעוד Vishay General Semiconductor - Diodes Division עבור GBL08-E3/51 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
GBL206Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 600V 2A 2KBJGBL06-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBLGBL02-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBL
GBL206Taiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A GBL
GBL208Yangjie Technology2KBJ 800V 2.0A Diodes Bridge R
GBL406_HFLITEON
GBL406_B0_10001-PECPANJITGBL408Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 4A 2KBJGBL10-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBL
GBL02-E3/45VishayGBL406Yangjie Technology2KBJ 600V 4.0A Diodes Bridge RGBL-100-22GoreGBL08-E3/45VishayGBL04-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 400V 3A GBLGBL404LITEONGBL408-CLITEONGBL205Taiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A GBLGBL160808P-R47KGOT| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.