מפרטי טק GBL04-E3/51
מפרטים טכניים Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GBL04-E3/51, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GBL04-E3/51
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| מתח - פסגה לאחור (מקס) | 400 V | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.1 V @ 4 A | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | |
| מארז התקן של הספק | GBL | |
| סִדרָה | - | |
| אריזה / מארז | 4-SIP, GBL |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| חֲבִילָה | Bulk | |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| סוג דיודה | Single Phase | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 400 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 3 A | |
| מספר מוצר בסיס | GBL04 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBL04-E3/51.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | GBL04-E3/51 | GBL205 | GBL02-E3/51 | GBL08-E3/51 |
| יַצרָן | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Taiwan Semiconductor Corporation | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | Standard | Standard | Standard |
| סוג דיודה | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| אריזה / מארז | 4-SIP, GBL | 4-SIP, GBL | 4-SIP, GBL | 4-SIP, GBL |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.1 V @ 4 A | 1 V @ 2 A | 1.1 V @ 4 A | 1 V @ 2 A |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 3 A | 2 A | 3 A | 3 A |
| חֲבִילָה | Bulk | Tube | Bulk | Bulk |
| מתח - פסגה לאחור (מקס) | 400 V | 600 V | 200 V | 800 V |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| מספר מוצר בסיס | GBL04 | GBL205 | GBL02 | GBL08 |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 400 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 200 V | 10 µA @ 800 V |
| מארז התקן של הספק | GBL | GBL | GBL | GBL |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
הורד GBL04-E3/51 PDF גיליונות נתונים ותיעוד Vishay General Semiconductor - Diodes Division עבור GBL04-E3/51 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
GBL205Taiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A GBLGBL02-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 200V 3A GBLGBL08-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBLGBL06-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBLGBL206Taiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A GBLGBL10-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBL
GBL406Yangjie Technology2KBJ 600V 4.0A Diodes Bridge R
GBL160808P-R47KGOT
GBLA06 C2Taiwan SemiconductorGBL208Yangjie Technology2KBJ 800V 2.0A Diodes Bridge R
GBL408Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 4A 2KBJGBL410Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 4A 2KBJ
GBL410Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBLGBL406_B0_10001-PECPANJIT
GBL406_HFLITEONGBL206Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 600V 2A 2KBJGBL408-CLITEONGBL404LITEON| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.