מפרטי טק 1N5812
מפרטים טכניים Solid State Inc. - 1N5812, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Solid State Inc. - 1N5812
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Solid State Inc. | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 900 mV @ 10 A | |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 50 V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | |
| מארז התקן של הספק | DO-4 | |
| מְהִירוּת | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| סִדרָה | - | |
| זמן שחזור לאחור (trr) | 35 ns |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| אריזה / מארז | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| חֲבִילָה | Box | |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 175°C | |
| סוג השמה | Stud Mount | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 10 µA @ 50 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 20A | |
| קיבול @ Vr, F | - |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Solid State Inc. 1N5812.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | 1N5812 | 1N5811 | 1N5814 | 1N5806E3 |
| יַצרָן | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Microchip Technology | Microchip Technology |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| חֲבִילָה | Box | Box | Bulk | Bulk |
| מְהִירוּת | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| אריזה / מארז | DO-203AA, DO-4, Stud | Axial | DO-203AA, DO-4, Stud | Axial |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 900 mV @ 10 A | 875 mV @ 4 A | 950 mV @ 20 A | 875 mV @ 1 A |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 10 µA @ 50 V | 5 µA @ 150 V | 10 µA @ 100 V | 1 µA @ 150 V |
| סוג השמה | Stud Mount | Through Hole | Stud Mount | Through Hole |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 50 V | 150 V | 100 V | 150 V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | Standard | Standard | Standard |
| קיבול @ Vr, F | - | - | 300pF @ 10V, 1MHz | 25pF @ 10V, 1MHz |
| זמן שחזור לאחור (trr) | 35 ns | 30 ns | 35 ns | 25 ns |
| מארז התקן של הספק | DO-4 | Axial | DO-203AA | A, Axial |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 20A | 6A | 20A | 1A |
הורד 1N5812 PDF גיליונות נתונים ותיעוד Solid State Inc. עבור 1N5812 - Solid State Inc..
1N5811Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL1N5814Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA1N5806E3Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL1N5813RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 20A DO203AA1N5806Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO204AP1N5814RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
1N5767Broadcom LimitedRF DIODE PIN 100V 250MW1N5812Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA1N5814Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 20A DO41N5812RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA1N5811USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF
1N5806USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A D-5A1N5814RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 20A DO41N5806Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL1N5815Solid State Inc.DIODE GEN PURP 125V 20A DO4
1N5811Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 3A B AXIAL1N5813Solid State Inc.DIODE GEN PURP 75V 20A DO41N5767Microchip TechnologySI PIN HEMETIC GLASS| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.