מפרטי טק 1N5811
מפרטים טכניים Microchip Technology - 1N5811, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Microchip Technology - 1N5811
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Microchip Technology | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 875 mV @ 4 A | |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 150 V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | |
| מארז התקן של הספק | B, Axial | |
| מְהִירוּת | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| סִדרָה | Military, MIL-PRF-19500/477 | |
| זמן שחזור לאחור (trr) | 30 ns |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| אריזה / מארז | B, Axial | |
| חֲבִילָה | Bulk | |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 175°C | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 150 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 3A | |
| קיבול @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Microchip Technology 1N5811.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | 1N5811 | 1N5806 | 1N5813R | 1N5811 |
| יַצרָן | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 150 V | 150 V | 75 V | 150 V |
| קיבול @ Vr, F | 60pF @ 10V, 1MHz | - | 300pF @ 10V, 1MHz | - |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 875 mV @ 4 A | 875 mV @ 1 A | 950 mV @ 20 A | 875 mV @ 4 A |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| אריזה / מארז | B, Axial | DO-204AP, Axial | DO-203AA, DO-4, Stud | Axial |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Stud Mount | Through Hole |
| מארז התקן של הספק | B, Axial | DO-204AP | DO-203AA (DO-4) | Axial |
| סִדרָה | Military, MIL-PRF-19500/477 | - | - | - |
| חֲבִילָה | Bulk | Box | Bulk | Box |
| מְהִירוּת | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 150 V | 1 µA @ 150 V | 10 µA @ 75 V | 5 µA @ 150 V |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 3A | 2.5A | 20A | 6A |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | Standard | Standard | Standard |
| זמן שחזור לאחור (trr) | 30 ns | 25 ns | 35 ns | 30 ns |
הורד 1N5811 PDF גיליונות נתונים ותיעוד Microchip Technology עבור 1N5811 - Microchip Technology.
1N5767Microchip TechnologySI PIN HEMETIC GLASS1N5806Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 2.5A DO204AP1N5813RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 75V 20A DO203AA1N5811Solid State Inc.DIODE GEN PURP 150V 6A AXIAL
1N5767Broadcom LimitedRF DIODE PIN 100V 250MW
1N5813Solid State Inc.DIODE GEN PURP 75V 20A DO4
1N5806Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL1N5811USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 3A B SQ-MELF1N5712Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 75MA DO351N5814Solid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 20A DO41N5812RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA1N5812Solid State Inc.DIODE GEN PURP 50V 20A DO41N5813Microchip TechnologyRECTIFIER DIODE1N5814RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 100V 20A DO41N5812Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 20A DO203AA1N5806E3Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A A AXIAL1N5814Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 20A DO203AA
1N5806USMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 150V 1A D-5A| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.