מפרטי טק 1N5832
מפרטים טכניים Microchip Technology - 1N5832, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Microchip Technology - 1N5832
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Microchip Technology | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 520 mV @ 40 A | |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 20 V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Schottky | |
| מארז התקן של הספק | DO-5 (DO-203AB) | |
| מְהִירוּת | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| סִדרָה | - | |
| אריזה / מארז | DO-203AB, DO-5, Stud |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| חֲבִילָה | Bulk | |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 125°C | |
| סוג השמה | Stud Mount | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 20 mA @ 20 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 40A | |
| קיבול @ Vr, F | - | |
| מספר מוצר בסיס | 1N5832 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Microchip Technology 1N5832.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | 1N5832 | 1N5829 | 1N5830 | 1N5829 |
| יַצרָן | Microchip Technology | Solid State Inc. | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C |
| מְהִירוּת | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| סוג השמה | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 40A | 25A | 25A | 25A |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| חֲבִילָה | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| קיבול @ Vr, F | - | 1650pF @ 5V, 1MHz | 1650pF @ 5V, 1MHz | 1650pF @ 5V, 1MHz |
| אריזה / מארז | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 20 V | 20 V | 30 V | 20 V |
| מארז התקן של הספק | DO-5 (DO-203AB) | DO-4 | DO-4 | DO-203AA (DO-4) |
| מספר מוצר בסיס | 1N5832 | - | - | 1N5829 |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 20 mA @ 20 V | 3 mA @ 20 V | 3 mA @ 30 V | 3 mA @ 20 V |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 520 mV @ 40 A | 440 mV @ 25 A | 460 mV @ 25 A | 440 mV @ 25 A |
הורד 1N5832 PDF גיליונות נתונים ותיעוד Microchip Technology עבור 1N5832 - Microchip Technology.
1N5829Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 25A DO4
1N5907Microchip TechnologyTVS DIODE 5VWM 8.5VC DO131N5830Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO41N5829Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 25A DO203AA1N5833Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 40A DO5
1N5832Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 40A DO51N5831Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 25A DO203AA
1N5832GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 40A DO51N5833Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 40A DO51N5831GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 35V 25A DO41N5831Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO41N5833GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 40A DO51N5834GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 40A DO51N5830GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 25V 25A DO41N5830Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 25A DO203AA
1N5908RL4GLittelfuse Inc.TVS DIODE 5VWM 8.5VC AXIAL1N5908STMicroelectronicsTVS DIODE 5VWM 8.5VC CB4291N5908onsemiTVS DIODE 5VWM 8.5VC AXIAL| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.