מפרטי טק 1N5831
מפרטים טכניים GeneSiC Semiconductor - 1N5831, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- GeneSiC Semiconductor - 1N5831
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | GeneSiC Semiconductor | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 580 mV @ 25 A | |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 35 V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Schottky | |
| מארז התקן של הספק | DO-4 | |
| מְהִירוּת | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| סִדרָה | - | |
| אריזה / מארז | DO-203AA, DO-4, Stud |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| חֲבִילָה | Bulk | |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -55°C ~ 150°C | |
| סוג השמה | Chassis, Stud Mount | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 2 mA @ 20 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 25A | |
| קיבול @ Vr, F | - | |
| מספר מוצר בסיס | 1N5831 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- GeneSiC Semiconductor 1N5831.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | 1N5831 | 1N5830 | 1N5829 | 1N5830 |
| יַצרָן | GeneSiC Semiconductor | Solid State Inc. | Microchip Technology | GeneSiC Semiconductor |
| סוג השמה | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Chassis, Stud Mount |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 25A | 25A | 25A | 25A |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 580 mV @ 25 A | 460 mV @ 25 A | 440 mV @ 25 A | 580 mV @ 25 A |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| מארז התקן של הספק | DO-4 | DO-4 | DO-203AA (DO-4) | DO-4 |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | -55°C ~ 150°C |
| קיבול @ Vr, F | - | 1650pF @ 5V, 1MHz | 1650pF @ 5V, 1MHz | - |
| חֲבִילָה | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| אריזה / מארז | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| מספר מוצר בסיס | 1N5831 | - | 1N5829 | 1N5830 |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 2 mA @ 20 V | 3 mA @ 30 V | 3 mA @ 20 V | 2 mA @ 20 V |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 35 V | 30 V | 20 V | 25 V |
| מְהִירוּת | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
הורד 1N5831 PDF גיליונות נתונים ותיעוד GeneSiC Semiconductor עבור 1N5831 - GeneSiC Semiconductor.
1N5830Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 25A DO41N5829Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 25A DO203AA1N5830GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 25V 25A DO41N5833Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 40A DO51N5834GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 40A DO5
1N5907Microchip TechnologyTVS DIODE 5VWM 8.5VC DO131N5831Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 40V 25A DO41N5829GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 25A DO41N5832GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 40A DO5
1N5833Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 30V 40A DO51N5830Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 30V 25A DO203AA1N5831Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 25A DO203AA1N5833GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 40A DO51N5828GeneSiC SemiconductorDIODE SCHOTTKY 40V 15A DO51N5829Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 25A DO41N5828Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 15A DO203AA1N5832Solid State Inc.DIODE SCHOTTKY 20V 40A DO51N5832Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 20V 40A DO5| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.