מפרטי טק 1N5622
מפרטים טכניים Microchip Technology - 1N5622, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Microchip Technology - 1N5622
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Microchip Technology | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.3 V @ 3 A | |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 1000 V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | |
| מארז התקן של הספק | A, Axial | |
| מְהִירוּת | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| סִדרָה | - | |
| זמן שחזור לאחור (trr) | 2 µs |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| אריזה / מארז | A, Axial | |
| חֲבִילָה | Bulk | |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 200°C | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 500 nA @ 1000 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 1A | |
| קיבול @ Vr, F | - | |
| מספר מוצר בסיס | 1N5622 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Microchip Technology 1N5622.
| תכונה של מוצר |  |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | 1N5622 | 1N5618 | 1N5552 | 1N5619 |
| יַצרָן | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| מספר מוצר בסיס | 1N5622 | 1N5618 | - | 1N5619 |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 1A | 1A | 3A | 1A |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.3 V @ 3 A | 1.3 V @ 3 A | 1 V @ 3 A | 1.6 V @ 3 A |
| אריזה / מארז | A, Axial | A, Axial | Axial | A, Axial |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 1000 V | 600 V | 600 V | 600 V |
| חֲבִילָה | Bulk | Bulk | Box | Bulk |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| קיבול @ Vr, F | - | - | 100pF @ 12V, 1MHz | 25pF @ 12V, 1MHz |
| מְהִירוּת | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | Standard | Standard | Standard |
| מארז התקן של הספק | A, Axial | A, Axial | Axial | A, Axial |
| זמן שחזור לאחור (trr) | 2 µs | 2 µs | 2 µs | 250 ns |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 175°C |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 500 nA @ 1000 V | 500 nA @ 600 V | 1 µA @ 600 V | 500 nA @ 600 V |
הורד 1N5622 PDF גיליונות נתונים ותיעוד Microchip Technology עבור 1N5622 - Microchip Technology.
1N5618Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL1N5552Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL1N5619Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
1N5624GPElectro-Films (EFI) / Vishay
1N5626-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 600V 3A SOD641N5624Harris CorporationDIODE GEN PURP 200V 3A SOD641N5627NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 800V 3A SOD64
1N5629ASolid State Inc.TVS DIODE D0-131N5617Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL1N5630ASolid State Inc.TVS DIODE D0-131N5615GP-E3-4Electro-Films (EFI) / Vishay1N5624NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 200V 3A SOD64
1N5552Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
1N5629AMicrochip TechnologyTVS DIODE 5.8VWM 10.5VC DO13
1N5557Microchip TechnologyTVS DIODE 49VWM 78.5VC DO131N5615Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL1N5630AMicrochip TechnologyTVS DIODE 6.4VWM 11.3VC DO13
1N5620USJANTXMicrosemi| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.