מפרטי טק 1N5617
מפרטים טכניים Microchip Technology - 1N5617, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Microchip Technology - 1N5617
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Microchip Technology | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.6 V @ 3 A | |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 400 V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | |
| מארז התקן של הספק | A, Axial | |
| מְהִירוּת | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| סִדרָה | - | |
| זמן שחזור לאחור (trr) | 150 ns |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| אריזה / מארז | A, Axial | |
| חֲבִילָה | Bulk | |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 175°C | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 500 nA @ 400 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 1A | |
| קיבול @ Vr, F | 35pF @ 12V, 1MHz | |
| מספר מוצר בסיס | 1N5617 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Microchip Technology 1N5617.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | 1N5617 | 1N5626-TR | 1N5552 | 1N5551 |
| יַצרָן | Microchip Technology | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Solid State Inc. | Solid State Inc. |
| מארז התקן של הספק | A, Axial | SOD-64 | Axial | Axial |
| זמן שחזור לאחור (trr) | 150 ns | 7.5 µs | 2 µs | 2 µs |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 1A | 3A | 3A | 3A |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | Avalanche | Standard | Standard |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 500 nA @ 400 V | 1 µA @ 600 V | 1 µA @ 600 V | 1 µA @ 400 V |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.6 V @ 3 A | 1 V @ 3 A | 1 V @ 3 A | 1 V @ 3 A |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 400 V | 600 V | 600 V | 400 V |
| מְהִירוּת | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| קיבול @ Vr, F | 35pF @ 12V, 1MHz | 60pF @ 4V, 1MHz | 100pF @ 12V, 1MHz | 120pF @ 12V, 1MHz |
| מספר מוצר בסיס | 1N5617 | 1N5626 | - | - |
| חֲבִילָה | Bulk | Tape & Reel (TR) | Box | Box |
| אריזה / מארז | A, Axial | SOD-64, Axial | Axial | Axial |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
הורד 1N5617 PDF גיליונות נתונים ותיעוד Microchip Technology עבור 1N5617 - Microchip Technology.
1N5626-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 600V 3A SOD641N5552Solid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL1N5551Solid State Inc.DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
1N5525BUR-1Microchip TechnologyZENER DIODE
1N5551Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL
1N5620USJANTXMicrosemi1N5552Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
1N5615GP-E3-4Electro-Films (EFI) / Vishay1N5618Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL1N5624Harris CorporationDIODE GEN PURP 200V 3A SOD641N5619Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL
1N5557Microchip TechnologyTVS DIODE 49VWM 78.5VC DO131N5615Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL1N5624NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 200V 3A SOD641N5627NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 800V 3A SOD64
1N5524BMicrochip TechnologyDIODE ZENER1N5624GPElectro-Films (EFI) / Vishay1N5622Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.