מפרטי טק IXTP10P50P
מפרטים טכניים IXYS - IXTP10P50P, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- IXYS - IXTP10P50P
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | IXYS Corporation | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | |
| סִדרָה | PolarP™ | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 1Ohm @ 5A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 300W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 2840 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| סוג FET | P-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 500 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IXTP10 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- IXYS IXTP10P50P.
| תכונה של מוצר |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IXTP10P50P | IXTP10N60PM | IXTP12N50PM | IXTP08N100D2 |
| יַצרָן | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±30V | ±30V | ±20V |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 2840 pF @ 25 V | 1610 pF @ 25 V | 1830 pF @ 25 V | 325 pF @ 25 V |
| סוג FET | P-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | - |
| מספר מוצר בסיס | IXTP10 | IXTP10 | IXTP12 | IXTP08 |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-220-3 |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | 5V @ 100µA | 5.5V @ 250µA | - |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 500 V | 600 V | 500 V | 1000 V |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tube | Tube |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | 32 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V | 14.6 nC @ 5 V |
| סִדרָה | PolarP™ | Polar | Polar | Depletion |
| פיזור הספק (מקס ') | 300W (Tc) | 50W (Tc) | 50W (Tc) | 60W (Tc) |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 1Ohm @ 5A, 10V | 740mOhm @ 5A, 10V | 500mOhm @ 6A, 10V | 21Ohm @ 400mA, 0V |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 10A (Tc) | 5A (Tc) | 6A (Tc) | 800mA (Tc) |
| מאפיין FET | - | - | - | Depletion Mode |
הורד IXTP10P50P PDF גיליונות נתונים ותיעוד IXYS עבור IXTP10P50P - IXYS.
IXTP10N60PMIXYSMOSFET N-CH 600V 5A TO220ABIXTP12N50PMIXYSMOSFET N-CH 500V 6A TO220ABIXTP08N100D2IXYSMOSFET N-CH 1000V 800MA TO220ABIXTP05N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 750MA TO220ABIXTP08N50D2IXYSMOSFET N-CH 500V 800MA TO220ABIXTP12N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 12A TO220ABIXTP02N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 200MA TO220ABIXTP100N04T2IXYSMOSFET N-CH 40V 100A TO220ABIXTP110N055TIXYSMOSFET N-CH 55V 110A TO220ABIXTP130N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 130A TO220ABIXTP02N50DIXYSMOSFET N-CH 500V 200MA TO220ABIXTP110N055T2IXYSMOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
IXTP110N055T2 MOSIXYS / LittelfuseIXTP130N065T2IXYSMOSFET N-CH 65V 130A TO220ABIXTP08N100PIXYSMOSFET N-CH 1000V 800MA TO220ABIXTP06N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 600MA TO220ABIXTP120N04T2IXYSMOSFET N-CH 40V 120A TO220ABIXTP10N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 10A TO220AB| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.