מפרטי טק IXTP02N50D
מפרטים טכניים IXYS - IXTP02N50D, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- IXYS - IXTP02N50D
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | IXYS Corporation | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 5V @ 25µA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | |
| סִדרָה | Depletion | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 30Ohm @ 50mA, 0V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 1.1W (Ta), 25W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 120 pF @ 25 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | Depletion Mode | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 500 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 200mA (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IXTP02 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- IXYS IXTP02N50D.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IXTP02N50D | IXTN60N50L2 | IXTP100N04T2 | IXTN550N055T2 |
| יַצרָן | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| סִדרָה | Depletion | Linear L2™ | TrenchT2™ | TrenchT2™ |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 120 pF @ 25 V | 24000 pF @ 25 V | 2690 pF @ 25 V | 40000 pF @ 25 V |
| מארז התקן של הספק | TO-220-3 | SOT-227B | TO-220-3 | SOT-227B |
| מספר מוצר בסיס | IXTP02 | IXTN60 | IXTP100 | IXTN550 |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tube | Tube |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 5V @ 25µA | 4.5V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| פיזור הספק (מקס ') | 1.1W (Ta), 25W (Tc) | 735W (Tc) | 150W (Tc) | 940W (Tc) |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 30Ohm @ 50mA, 0V | 100mOhm @ 30A, 10V | 7mOhm @ 25A, 10V | 1.3mOhm @ 100A, 10V |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 500 V | 500 V | 40 V | 55 V |
| מאפיין FET | Depletion Mode | - | - | - |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±30V | ±20V | ±20V |
| סוג השמה | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole | Chassis Mount |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 200mA (Tc) | 53A (Tc) | 100A (Tc) | 550A (Tc) |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | SOT-227-4, miniBLOC | TO-220-3 | SOT-227-4, miniBLOC |
הורד IXTP02N50D PDF גיליונות נתונים ותיעוד IXYS עבור IXTP02N50D - IXYS.
IXTN60N50L2IXYSMOSFET N-CH 500V 53A SOT227BIXTP100N04T2IXYSMOSFET N-CH 40V 100A TO220ABIXTN550N055T2IXYSMOSFET N-CH 55V 550A SOT227BIXTP10N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 10A TO220ABIXTP05N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 750MA TO220ABIXTP10N60PMIXYSMOSFET N-CH 600V 5A TO220ABIXTP01N100DIXYSMOSFET N-CH 1000V 400MA TO220ABIXTN600N04T2IXYSMOSFET N-CH 40V 600A SOT227BIXTP06N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 600MA TO220ABIXTP08N100D2IXYSMOSFET N-CH 1000V 800MA TO220ABIXTN90P20PIXYSMOSFET P-CH 200V 90A SOT227BIXTP08N100PIXYSMOSFET N-CH 1000V 800MA TO220ABIXTN90N25L2IXYSMOSFET N-CH 250V 90A SOT227BIXTP08N50D2IXYSMOSFET N-CH 500V 800MA TO220ABIXTP10P50PIXYSMOSFET P-CH 500V 10A TO220ABIXTN79N20IXYSMOSFET N-CH 200V 85A SOT227BIXTN62N50LIXYSMOSFET N-CH 500V 62A SOT227BIXTP02N120PIXYSMOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.