מפרטי טק IXFN80N60P3
מפרטים טכניים IXYS - IXFN80N60P3, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- IXYS - IXFN80N60P3
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | IXYS Corporation | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 5V @ 8mA | |
| Vgs (מקס ') | ±30V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | SOT-227B | |
| סִדרָה | HiPerFET™, Polar3™ | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 70mOhm @ 40A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 960W (Tc) | |
| אריזה / מארז | SOT-227-4, miniBLOC | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Chassis Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 13100 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 190 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 600 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 66A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IXFN80 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- IXYS IXFN80N60P3.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IXFN80N60P3 | IXFP12N50P | IXFP110N15T2 | IXFN80N50Q3 |
| יַצרָן | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| סִדרָה | HiPerFET™, Polar3™ | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™, TrenchT2™ | HiPerFET™, Q3 Class |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 5V @ 8mA | 5.5V @ 1mA | 4.5V @ 250µA | 6.5V @ 8mA |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 600 V | 500 V | 150 V | 500 V |
| פיזור הספק (מקס ') | 960W (Tc) | 200W (Tc) | 480W (Tc) | 780W (Tc) |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| Vgs (מקס ') | ±30V | ±30V | ±20V | ±30V |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| סוג השמה | Chassis Mount | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 66A (Tc) | 12A (Tc) | 110A (Tc) | 63A (Tc) |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 70mOhm @ 40A, 10V | 500mOhm @ 6A, 10V | 13mOhm @ 55A, 10V | 65mOhm @ 40A, 10V |
| מארז התקן של הספק | SOT-227B | TO-220-3 | TO-220-3 | SOT-227B |
| אריזה / מארז | SOT-227-4, miniBLOC | TO-220-3 | TO-220-3 | SOT-227-4, miniBLOC |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tube | Tube |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 13100 pF @ 25 V | 1830 pF @ 25 V | 8600 pF @ 25 V | 10000 pF @ 25 V |
| מספר מוצר בסיס | IXFN80 | IXFP12 | IXFP110 | IXFN80 |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 190 nC @ 10 V | 29 nC @ 10 V | 150 nC @ 10 V | 200 nC @ 10 V |
הורד IXFN80N60P3 PDF גיליונות נתונים ותיעוד IXYS עבור IXFN80N60P3 - IXYS.
IXFN80N60IXYS / LittelfuseIGBT Module
IXFN79N20Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT ModuleIXFP12N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 12A TO220ABIXFP110N15T2IXYSMOSFET N-CH 150V 110A TO220ABIXFN80N50Q3IXYSMOSFET N-CH 500V 63A SOT227BIXFN80N60PIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN80N48IXYSMOSFET N-CH 480V 80A SOT-227BIXFP10N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 10A TO220ABIXFN82N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 72A SOT-227BIXFN90N30IXYSMOSFET N-CH 300V 90A SOT-227BIXFN80N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 66A SOT227BIXFN80N50IXYSMOSFET N-CH 500V 80A SOT-227BIXFN9234IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN82N60Q3IXYSMOSFET N-CH 600V 66A SOT227BIXFN80N50Q2IXYSMOSFET N-CH 500V 72A SOT227BIXFN90N85XIXYSMOSFET N-CH 850V 90A SOT227BIXFN80N50QIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFP12N50PMIXYSMOSFET N-CH 500V 6A TO220AB| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.