מפרטי טק IXFN80N50P
מפרטים טכניים IXYS - IXFN80N50P, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- IXYS - IXFN80N50P
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | IXYS Corporation | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 5V @ 8mA | |
| Vgs (מקס ') | ±30V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | SOT-227B | |
| סִדרָה | HiPerFET™, Polar | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 65mOhm @ 500mA, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 700W (Tc) | |
| אריזה / מארז | SOT-227-4, miniBLOC | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Chassis Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 12700 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 195 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 500 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 66A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IXFN80 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- IXYS IXFN80N50P.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IXFN80N50P | IXFN82N60P | IXFN73N30Q | IXFN90N30 |
| יַצרָן | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 195 nC @ 10 V | 240 nC @ 10 V | 195 nC @ 10 V | 360 nC @ 10 V |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 12700 pF @ 25 V | 23000 pF @ 25 V | 5400 pF @ 25 V | 10000 pF @ 25 V |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 66A (Tc) | 72A (Tc) | 73A (Tc) | 90A (Tc) |
| סִדרָה | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™, Polar | HiPerFET™, Q Class | HiPerFET™ |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 5V @ 8mA | 5V @ 8mA | 4V @ 4mA | 4V @ 8mA |
| פיזור הספק (מקס ') | 700W (Tc) | 1040W (Tc) | 481W (Tc) | 560W (Tc) |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| מארז התקן של הספק | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 500 V | 600 V | 300 V | 300 V |
| מספר מוצר בסיס | IXFN80 | IXFN82 | IXFN73 | IXFN90 |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tube | Tube |
| סוג השמה | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| אריזה / מארז | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| Vgs (מקס ') | ±30V | ±30V | ±30V | ±20V |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 65mOhm @ 500mA, 10V | 75mOhm @ 41A, 10V | 45mOhm @ 500mA, 10V | 33mOhm @ 45A, 10V |
הורד IXFN80N50P PDF גיליונות נתונים ותיעוד IXYS עבור IXFN80N50P - IXYS.
IXFN80N60IXYS / LittelfuseIGBT Module
IXFN79N20Fujitsu Electronics America, Inc.IGBT ModuleIXFN82N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 72A SOT-227BIXFN73N30QIXYSMOSFET N-CH 300V 73A SOT-227BIXFN75N60CIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN90N30IXYSMOSFET N-CH 300V 90A SOT-227BIXFN75N120IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN80N48IXYSMOSFET N-CH 480V 80A SOT-227BIXFN80N60PIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN73NAIGBT ModuleIXFN80N50Q3IXYSMOSFET N-CH 500V 63A SOT227BIXFN73N30IXYSMOSFET N-CH 300V 73A SOT-227BIXFN80N50Q2IXYSMOSFET N-CH 500V 72A SOT227BIXFN82N60Q3IXYSMOSFET N-CH 600V 66A SOT227BIXFN73N28IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN80N60P3IXYSMOSFET N-CH 600V 66A SOT-227BIXFN80N50QIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN80N50IXYSMOSFET N-CH 500V 80A SOT-227B| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.