מפרטי טק IXFN50N120SK
מפרטים טכניים IXYS - IXFN50N120SK, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- IXYS - IXFN50N120SK
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | IXYS Corporation | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 2.8V @ 10mA | |
| Vgs (מקס ') | +20V, -5V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| מארז התקן של הספק | SOT-227B | |
| סִדרָה | - | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 52mOhm @ 40A, 20V | |
| פיזור הספק (מקס ') | - | |
| אריזה / מארז | SOT-227-4, miniBLOC | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| סוג השמה | Chassis Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 1895 pF @ 1000 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 115 nC @ 20 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 20V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 1200 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 48A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IXFN50 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- IXYS IXFN50N120SK.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IXFN50N120SK | IXFN52N90P | IXFN520N075T2 | IXFN55N50 |
| יַצרָן | IXYS | IXYS Corporation | IXYS | IXYS |
| אריזה / מארז | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| פיזור הספק (מקס ') | - | 890W (Tc) | 940W (Tc) | 625W (Tc) |
| סִדרָה | - | Polar™ | HiPerFET™, TrenchT2™ | HiPerFET™ |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 115 nC @ 20 V | 308nC @ 10V | 545 nC @ 10 V | 330 nC @ 10 V |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 52mOhm @ 40A, 20V | 160 mOhm @ 26A, 10V | 1.9mOhm @ 100A, 10V | 90mOhm @ 27.5A, 10V |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| Vgs (מקס ') | +20V, -5V | ±30V | ±20V | ±20V |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 2.8V @ 10mA | 6.5V @ 1mA | 5V @ 8mA | 4.5V @ 8mA |
| חֲבִילָה | Tube | - | Tube | Tube |
| מארז התקן של הספק | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 1895 pF @ 1000 V | 19000pF @ 25V | 41000 pF @ 25 V | 9400 pF @ 25 V |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 48A (Tc) | 43A (Tc) | 480A (Tc) | 55A (Tc) |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | SiCFET (Silicon Carbide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 1200 V | 900V | 75 V | 500 V |
| סוג השמה | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 20V | 10V | 10V | 10V |
| מספר מוצר בסיס | IXFN50 | - | IXFN520 | IXFN55 |
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
הורד IXFN50N120SK PDF גיליונות נתונים ותיעוד IXYS עבור IXFN50N120SK - IXYS.
IXFN52N90PIXYS CorporationMOSFET N-CH 900V 43A SOT227IXFN50N120S1CIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN50N800Q2IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN520N075T2IXYSMOSFET N-CH 75V 480A SOT227BIXFN55N50IXYSMOSFET N-CH 500V 55A SOT-227BIXFN48N50IXYSMOSFET N-CH 500V 48A SOT-227BIXFN48N55IXYSMOSFET N-CH 550V 48A SOT-227BIXFN50N120SICIXYSSICFET N-CH 1200V 47A SOT227BIXFN55N50FIXYSMOSFET N-CH 500V 55A SOT227BIXFN48N50QIXYSMOSFET N-CH 500V 48A SOT-227BIXFN50N80Q2IXYSMOSFET N-CH 800V 50A SOT-227BIXFN50N60U1IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN48N50U3IXYSMOSFET N-CH 500V 48A SOT-227BIXFN48N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 40A SOT227BIXFN50N50IXYSMOSFET N-CH 500V 50A SOT-227BIXFN48N50U2IXYSMOSFET N-CH 500V 48A SOT-227BIXFN50N50PIXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN50N120IXYS / LittelfuseIGBT Module| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.