מפרטי טק W71NW20GD3DW
מפרטים טכניים Winbond Electronics - W71NW20GD3DW, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Winbond Electronics - W71NW20GD3DW
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Winbond Electronics Corporation | |
| כתוב זמן מחזור - Word, דף | - | |
| אספקת מתח | 1.7V ~ 1.95V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR | |
| מארז התקן של הספק | 130-FBGA (8x9) | |
| סִדרָה | - | |
| אריזה / מארז | 130-VFBGA | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 85°C (TA) | |
| סוג השמה | Surface Mount | |
| סוג זיכרון | Non-Volatile, Volatile | |
| גודל זיכרון | 2Gbit (NAND), 1Gbit (LPDDR) | |
| ארגון זיכרון | - | |
| ממשק זיכרון | - | |
| פורמט זיכרון | FLASH, RAM | |
| מספר מוצר בסיס | W71NW20 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Winbond Electronics W71NW20GD3DW.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | W71NW20GD3DW | IS42VM16160D-8BLI | AS4C256M16D3LA-12BCN | NMC27C32BQE200 |
| יַצרָן | Winbond Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Alliance Memory, Inc. | onsemi |
| מארז התקן של הספק | 130-FBGA (8x9) | 54-TFBGA (8x13) | 96-FBGA (9x13) | 24-DIP |
| סוג זיכרון | Non-Volatile, Volatile | Volatile | Volatile | Non-Volatile |
| גודל זיכרון | 2Gbit (NAND), 1Gbit (LPDDR) | 256Mbit | 4Gbit | 32Kbit |
| ממשק זיכרון | - | Parallel | Parallel | Parallel |
| חֲבִילָה | Tube | Tray | Tray | Tube |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| ארגון זיכרון | - | 16M x 16 | 256M x 16 | 4K x 8 |
| אריזה / מארז | 130-VFBGA | 54-TFBGA | 96-VFBGA | 24-DIP (0.600', 15.24mm) Window |
| אספקת מתח | 1.7V ~ 1.95V | 1.7V ~ 1.95V | 1.283V ~ 1.45V | 4.5V ~ 5.5V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR | SDRAM - Mobile | SDRAM - DDR3L | EPROM - UV |
| סוג השמה | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Through Hole |
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 85°C (TA) | -40°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 95°C (TC) | -40°C ~ 85°C (TA) |
| פורמט זיכרון | FLASH, RAM | DRAM | DRAM | EPROM |
| כתוב זמן מחזור - Word, דף | - | - | 15ns | - |
| מספר מוצר בסיס | W71NW20 | IS42VM16160 | AS4C256 | NMC27C32 |
W71NW10GC1HWWinbond Electronics CorporationIS42VM16160D-8BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncIC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGAAS4C256M16D3LA-12BCNAlliance Memory, Inc.IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGANMC27C32BQE200onsemiIC EPROM 32KBIT PARALLEL 24DIPW29GL256SL9CWinbond ElectronicsIC FLASH 256MBIT PAR 56TFBGAW71GL064CDA9Winbond Electronics Corporation
MT53E384M32D2DS-053 WT:EMicron Technology Inc.IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGAW71GL128CDA9Winbond Electronics Corporation
7130SA35JRenesas Electronics America IncIC SRAM 8KBIT PARALLEL 52PLCC
W948D6KBHX6EWinbond ElectronicsIC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA
CYDM064B08-55BVXIInfineon TechnologiesIC SRAM 64KBIT PARALLEL 100VFBGAW71NW11GF1EWWinbond ElectronicsIC FLASH RAM 1GBIT 121WFBGAW71NW10GE3FWWinbond ElectronicsIC FLASH RAM 1GBIT 400MHZ
CY62128DV30LL-55ZAXITCypress Semiconductor CorpIC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP
W7100AWIZnetIC MCU 8BIT 64KB FLASH 100LQFP
S29GL01GT11FHIV10Infineon TechnologiesIC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
CY7C1353G-100AXCTInfineon TechnologiesIC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFPMT46H16M16LFBF-5 IT:HMicron Technology Inc.IC DRAM 256MBIT PAR 60VFBGA| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.