מפרטי טק VQ1001P
מפרטים טכניים Vishay Siliconix - VQ1001P, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Vishay Siliconix - VQ1001P
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Vishay / Siliconix | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 2.5V @ 1mA | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | 14-DIP | |
| סִדרָה | - | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 1.75Ohm @ 200mA, 5V | |
| הספק - מקסימום | 2W | |
| אריזה / מארז | - | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 110pF @ 15V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | - | |
| מאפיין FET | Logic Level Gate | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 30V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 830mA | |
| תְצוּרָה | 4 N-Channel | |
| מספר מוצר בסיס | VQ1001 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Vishay Siliconix VQ1001P.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | VQ1001P | SI7904BDN-T1-E3 | IRF7343PBF | CSD87501L |
| יַצרָן | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Texas Instruments |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 110pF @ 15V | 860pF @ 10V | 740pF @ 25V | - |
| מספר מוצר בסיס | VQ1001 | SI7904 | IRF734 | CSD87501 |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 30V | 20V | 55V | - |
| אריזה / מארז | - | PowerPAK® 1212-8 Dual | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 10-XFLGA |
| מארז התקן של הספק | 14-DIP | PowerPAK® 1212-8 Dual | 8-SO | 10-Picostar (3.37x1.47) |
| מאפיין FET | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | - | 24nC @ 8V | 36nC @ 10V | 40nC @ 10V |
| תְצוּרָה | 4 N-Channel | 2 N-Channel (Dual) | N and P-Channel | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 2.5V @ 1mA | 1V @ 250µA | 1V @ 250µA | 2.3V @ 250µA |
| חֲבִילָה | Tube | Tape & Reel (TR) | Tube | Tape & Reel (TR) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 830mA | 6A | 4.7A, 3.4A | - |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 1.75Ohm @ 200mA, 5V | 30mOhm @ 7.1A, 4.5V | 50mOhm @ 4.7A, 10V | - |
| הספק - מקסימום | 2W | 17.8W | 2W | 2.5W |
| סִדרָה | - | TrenchFET® | HEXFET® | NexFET™ |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| סוג השמה | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
הורד VQ1001P PDF גיליונות נתונים ותיעוד Vishay Siliconix עבור VQ1001P - Vishay Siliconix.
SI7904BDN-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 20V 6A 1212-8VQ1001P-7SILIRF7343PBFInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 55V 8-SOICVQ1001JSILCSD87501LTexas InstrumentsMOSFET 2N-CH 30V 10PICOSTAR
DMP2065UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET 2 P-CH 20V 4.5A DFN2020-6VQ1000N6SIVQ1004JSIL
DMC1015UPD-13Diodes IncorporatedMOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
NTLJD4116NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 2.5A 6WDFN
SI4804BDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
NTMFD4C87NT1GonsemiMOSFET 2N-CH 30V 8DFN
AO4882Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET 2N-CH 40V 8A 8SOICVQ1001P-2Vishay SiliconixMOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIPCSD83325LTexas InstrumentsMOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTARVQ1006PVishay SiliconixMOSFET 4N-CH 90V 0.4A 14DIPVQ1000JSILVQ1004PVishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 0.4A TO-205| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.