מפרטי טק SISS63DN-T1-GE3
מפרטים טכניים Vishay Siliconix - SISS63DN-T1-GE3, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Vishay Siliconix - SISS63DN-T1-GE3
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Vishay / Siliconix | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±12V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | PowerPAK® 1212-8S | |
| סִדרָה | TrenchFET® Gen III | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 2.7mOhm @ 15A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 5W (Ta), 65.8W (Tc) | |
| אריזה / מארז | PowerPAK® 1212-8S | |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Surface Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 7080 pF @ 10 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 236 nC @ 8 V | |
| סוג FET | P-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 2.5V, 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 20 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 35.1A (Ta), 127.5A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | SISS63 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Vishay Siliconix SISS63DN-T1-GE3.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | SISS63DN-T1-GE3 | SISS42LDN-T1-GE3 | SISS27DN-T1-GE3 | SISS26LDN-T1-GE3 |
| יַצרָן | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| סוג השמה | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| מארז התקן של הספק | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 2.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 2.7mOhm @ 15A, 10V | 14.9mOhm @ 15A, 10V | 5.6mOhm @ 15A, 10V | 4.3mOhm @ 15A, 10V |
| Vgs (מקס ') | ±12V | ±20V | ±20V | ±20V |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 35.1A (Ta), 127.5A (Tc) | 11.3A (Ta), 39A (Tc) | 50A (Tc) | 23.7A (Ta), 81.2A (Tc) |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 236 nC @ 8 V | 48 nC @ 10 V | 140 nC @ 10 V | 48 nC @ 10 V |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 20 V | 100 V | 30 V | 60 V |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| אריזה / מארז | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S | PowerPAK® 1212-8S |
| סוג FET | P-Channel | N-Channel | P-Channel | N-Channel |
| מספר מוצר בסיס | SISS63 | SISS42 | SISS27 | SISS26 |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 1.5V @ 250µA | 2.5V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 2.5V @ 250µA |
| סִדרָה | TrenchFET® Gen III | TrenchFET® Gen IV | TrenchFET® | TrenchFET® Gen IV |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 7080 pF @ 10 V | 2058 pF @ 50 V | 5250 pF @ 15 V | 1980 pF @ 30 V |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| פיזור הספק (מקס ') | 5W (Ta), 65.8W (Tc) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) | 4.8W (Ta), 57W (Tc) |
הורד SISS63DN-T1-GE3 PDF גיליונות נתונים ותיעוד Vishay Siliconix עבור SISS63DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix.
SISS42LDN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 11.3A/39A PPAKSISS27DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
SISS66DN-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySISS23DN-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / VishaySISS26LDN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 23.7A/81.2A PPAKSISS42DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAKSISS27ADN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8SSISS64DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 40A PPAK1212-8SSISS40DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 36.5A PPAKSISS66DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 49.1/178.3A PPAKSISS98DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 200V 14.1A PPAKSISS60DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAKSISS65DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 30V 25.9A/94A PPAKSISS12DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 37.5A/60A PPAKSISS32DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 80V 17.4A/63A PPAKSISS23DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8SSISS46DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 12.5/45.3A PPAKSISS70DN-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 125V 8.5A/31A PPAK| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.