מפרטי טק IRF530
מפרטים טכניים Vishay Siliconix - IRF530, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Vishay Siliconix - IRF530
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Vishay / Siliconix | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-220AB | |
| סִדרָה | - | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 160mOhm @ 8.4A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 88W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 670 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 100 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IRF530 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Vishay Siliconix IRF530.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IRF530 | IRF5305PBF | IRF5210STRRPBF | IRF523 |
| יַצרָן | Vishay Siliconix | Infineon Technologies | Infineon Technologies | Harris Corporation |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| סִדרָה | - | HEXFET® | HEXFET® | - |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| אריזה / מארז | TO-220-3 | TO-220-3 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | TO-220-3 |
| מארז התקן של הספק | TO-220AB | TO-220AB | D2PAK | TO-220 |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 14A (Tc) | 31A (Tc) | 38A (Tc) | 8A (Tc) |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Surface Mount | Through Hole |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 670 pF @ 25 V | 1200 pF @ 25 V | 2780 pF @ 25 V | 350 pF @ 25 V |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | 63 nC @ 10 V | 230 nC @ 10 V | 15 nC @ 10 V |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 100 V | 55 V | 100 V | 80 V |
| מספר מוצר בסיס | IRF530 | IRF5305 | IRF5210 | - |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 160mOhm @ 8.4A, 10V | 60mOhm @ 16A, 10V | 60mOhm @ 38A, 10V | 360mOhm @ 5.6A, 10V |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| פיזור הספק (מקס ') | 88W (Tc) | 110W (Tc) | 3.1W (Ta), 170W (Tc) | 60W (Tc) |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA | 4V @ 250µA |
| סוג FET | N-Channel | P-Channel | P-Channel | N-Channel |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tape & Reel (TR) | Bulk |
הורד IRF530 PDF גיליונות נתונים ותיעוד Vishay Siliconix עבור IRF530 - Vishay Siliconix.
IRF5305PBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 31A TO220ABIRF5210STRRPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 38A D2PAKIRF5305S/F5305SIRIRF523Harris CorporationN-CHANNEL POWER MOSFETIRF5210STRLIR
IRF522Fairchild (onsemi)
IRF530onsemiMOSFET N-CH 100V 14A TO220ABIRF530Harris CorporationMOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
IRF530STMicroelectronicsMOSFET N-CH 100V 14A TO220ABIRF5305S MOSIRIRF5210STRLPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 100V 38A D2PAKIRF5210STRPBFIRIRF5305S F5305SIRIRF5305IRIRF5305SIRIRF5210SPBF MOSIRIRF5210SRLPBFTR
IRF5305LPBFInfineon TechnologiesMOSFET P-CH 55V 31A TO262| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.