מפרטי טק 2N6661
מפרטים טכניים Vishay Siliconix - 2N6661, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Vishay Siliconix - 2N6661
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Vishay / Siliconix | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 2V @ 1mA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-39 | |
| סִדרָה | - | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 4Ohm @ 1A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 50 pF @ 25 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 5V, 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 90 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 860mA (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | 2N6661 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Vishay Siliconix 2N6661.
| תכונה של מוצר |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | 2N6661 | 2N6660 | 2N6661 | 2N6661 |
| יַצרָן | Vishay Siliconix | Vishay Siliconix | Microchip Technology | Solid State Inc. |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 2V @ 1mA | 2V @ 1mA | 2V @ 1mA | 2V @ 1mA |
| מארז התקן של הספק | TO-39 | TO-205AD (TO-39) | TO-39 | TO-39 |
| פיזור הספק (מקס ') | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) | 725mW (Ta), 6.25W (Tc) | 6.25W (Tc) | 6.25W (Tc) |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 90 V | 60 V | 90 V | 90 V |
| מספר מוצר בסיס | 2N6661 | 2N6660 | - | - |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Bag | Box |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 860mA (Tc) | 990mA (Tc) | 350mA (Tj) | 900mA (Tc) |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 5V, 10V | 5V, 10V | 5V, 10V | 5V, 10V |
| אריזה / מארז | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 50 pF @ 25 V | 50 pF @ 25 V | 50 pF @ 24 V | 50 pF @ 25 V |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±20V | ±20V | ±40V |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 4Ohm @ 1A, 10V | 3Ohm @ 1A, 10V | 4Ohm @ 1A, 10V | 4mOhm @ 1A, 10V |
הורד 2N6661 PDF גיליונות נתונים ותיעוד Vishay Siliconix עבור 2N6661 - Vishay Siliconix.
2N6668NTE Electronics, IncTRANS PNP DARL 80V 10A TO2202N65LL-TM3-TUTC2N6667NTE Electronics, IncTRANS PNP DARL 60V 10A TO2202N6660Vishay SiliconixMOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD2N65LLUTC2N6661Microchip TechnologyMOSFET N-CH 90V 350MA TO392N6678Solid State Inc.TRANS NPN TO3
2N6668GAMI Semiconductor/onsemi2N6661Solid State Inc.MOSFET N-CH 90V 900MA TO392N6609onsemiTRANS PNP 140V 16A TO204
2N6609Microchip TechnologyPOWER BJT
2N6667GonsemiTRANS PNP DARL 60V 10A TO2202N6667onsemiTRANS PNP DARL 60V 10A TO2202N6660Solid State Inc.MOSFET N-CH 60V 1.1A TO392N6668STMicroelectronicsTRANS PNP DARL 80V 10A TO2202N6659MOTOROLA2N6609NTE Electronics, IncTRANS PNP 140V 16A TO2042N6660Microchip TechnologyMOSFET N-CH 60V 410MA TO39| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.