מפרטי טק KBU8M-E4/51
מפרטים טכניים Vishay General Semiconductor - Diodes Division - KBU8M-E4/51, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Vishay General Semiconductor - Diodes Division - KBU8M-E4/51
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| מתח - פסגה לאחור (מקס) | 1 kV | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1 V @ 8 A | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | |
| מארז התקן של הספק | KBU | |
| סִדרָה | - | |
| אריזה / מארז | 4-SIP, KBU |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| חֲבִילָה | Bulk | |
| טמפרטורת פעולה | -50°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| סוג דיודה | Single Phase | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 10 µA @ 1000 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 8 A | |
| מספר מוצר בסיס | KBU8 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBU8M-E4/51.
| תכונה של מוצר |  |
|
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | KBU8M-E4/51 | KBU8G-E4/51 | KBU8J | KBU610 |
| יַצרָן | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | GeneSiC Semiconductor | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| סוג דיודה | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| טמפרטורת פעולה | -50°C ~ 150°C (TJ) | -50°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| מתח - פסגה לאחור (מקס) | 1 kV | 400 V | 600 V | 1 kV |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | Standard | Standard | Standard |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 400 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 1000 V |
| אריזה / מארז | 4-SIP, KBU | 4-SIP, KBU | 4-SIP, KBU | 4-ESIP, KBU |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| מספר מוצר בסיס | KBU8 | KBU8 | KBU8 | - |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 8 A | 8 A | 8 A | 6 A |
| מארז התקן של הספק | KBU | KBU | KBU | KBU |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1 V @ 8 A | 1 V @ 8 A | 1 V @ 8 A | 1 V @ 3 A |
| חֲבִילָה | Bulk | Tray | Bulk | Box |
הורד KBU8M-E4/51 PDF גיליונות נתונים ותיעוד Vishay General Semiconductor - Diodes Division עבור KBU8M-E4/51 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
KBU803GWKBU6G-10C-1-LFDIODEKBU8G-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A KBUKBU8JGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBUKBU610Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 6A KBUKBU806Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 600V 8A KBUKBU810G-B-00-00SEPKBU6K-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBU
KBU8KFairchild SemiconductorBRIDGE RECTIFIER DIODE
KBU808Yangjie TechnologyKBU 800V 8.0A Diodes Bridge ReKBU6A-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A KBUKBU8KGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A KBUKBU608Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 6A KBUKBU607KBUKBU810Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 8A KBUKBU8KonsemiBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A KBUKBU8K-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A KBUKBU8JonsemiBRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBU| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.