מפרטי טק GBU4K-E3/51
מפרטים טכניים Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GBU4K-E3/51, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Vishay General Semiconductor - Diodes Division - GBU4K-E3/51
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| מתח - פסגה לאחור (מקס) | 800 V | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1 V @ 4 A | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | |
| מארז התקן של הספק | GBU | |
| סִדרָה | - | |
| אריזה / מארז | 4-SIP, GBU |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| חֲבִילָה | Bulk | |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| סוג דיודה | Single Phase | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 800 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 3 A | |
| מספר מוצר בסיס | GBU4 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU4K-E3/51.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | GBU4K-E3/51 | GBU410 | GBU4J-E3/45 | GBU4K-E3/45 |
| יַצרָן | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| מספר מוצר בסיס | GBU4 | - | GBU4 | GBU4 |
| חֲבִילָה | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| מתח - פסגה לאחור (מקס) | 800 V | 1 kV | 600 V | 800 V |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 800 V |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| אריזה / מארז | 4-SIP, GBU | 4-ESIP, GBU | 4-SIP, GBU | 4-SIP, GBU |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| סוג דיודה | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | Standard | Standard | Standard |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 3 A | 4 A | 3 A | 3 A |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1 V @ 4 A | 1 V @ 2 A | 1 V @ 4 A | 1 V @ 4 A |
| מארז התקן של הספק | GBU | GBU | GBU | GBU |
הורד GBU4K-E3/51 PDF גיליונות נתונים ותיעוד Vishay General Semiconductor - Diodes Division עבור GBU4K-E3/51 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
GBU4K-LS-LFLISIONGBU410Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 4A GBU
GBU4JL-6088E3/22Electro-Films (EFI) / VishayGBU4KL-7014E3Electro-Films (EFI) / VishayGBU4K_B0_100A2PANJITGBU4J-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 3A GBUGBU4J-E3/54Electro-Films (EFI) / VishayGBU4K-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 3A GBU
GBU410SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBUGBU6005Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A GBUGBU410Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBU
GBU601-01Diodes IncorporatedGBU6005SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A GBUGBU4J-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 4A GBUGBU4J_B0_10001-PECPANJIT
GBU4M-GComchip TechnologyBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBUGBU4M-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3A GBUGBU4M_B0_100A2-PECPANJIT| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? אנא הוסף לעגלה , ניצור איתך קשר מייד.