מפרטי טק G3SBA80-E3/51
מפרטים טכניים Vishay General Semiconductor - Diodes Division - G3SBA80-E3/51, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Vishay General Semiconductor - Diodes Division - G3SBA80-E3/51
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| מתח - פסגה לאחור (מקס) | 800 V | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1 V @ 2 A | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | |
| מארז התקן של הספק | GBU | |
| סִדרָה | - | |
| אריזה / מארז | 4-SIP, GBU |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| חֲבִילָה | Bulk | |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| סוג דיודה | Single Phase | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 800 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 2.3 A | |
| מספר מוצר בסיס | G3SBA80 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA80-E3/51.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | G3SBA80-E3/51 | GBU15K | MSD75-08 | DF06S-E3/45 |
| יַצרָן | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | GeneSiC Semiconductor | Microsemi Corporation | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Chassis Mount | Surface Mount |
| מספר מוצר בסיס | G3SBA80 | GBU15 | - | DF06 |
| מתח - פסגה לאחור (מקס) | 800 V | 800 V | 800 V | 600 V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | Standard | Standard | Standard |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1 V @ 2 A | 1.1 V @ 15 A | 1.6 V @ 150 A | 1.1 V @ 1 A |
| אריזה / מארז | 4-SIP, GBU | 4-SIP, GBU | M2 | 4-SMD, Gull Wing |
| חֲבִילָה | Bulk | Bulk | Bulk | Tube |
| סוג דיודה | Single Phase | Single Phase | Three Phase | Single Phase |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 800 V | 300 µA @ 800 V | 5 µA @ 600 V |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 2.3 A | 15 A | 75 A | 1 A |
| מארז התקן של הספק | GBU | GBU | SM2 | DFS |
הורד G3SBA80-E3/51 PDF גיליונות נתונים ותיעוד Vishay General Semiconductor - Diodes Division עבור G3SBA80-E3/51 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
GBU15KGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1PHASE 800V 15A GBUMSD75-08Microsemi CorporationBRIDGE RECT 3PHASE 800V 75A SM2DF06S-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 1A DFS
G3S168JBN/A
G3S12010BGlobal Power Technology-GPTSIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-P
GBPC1510SURGE15A -1000V - GBPC - BRIDGE
GBPC2510Fairchild SemiconductorBRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,
VUO105-16NO7IXYSBRIDGE RECT 3P 1.6KV 140A PWS-CG3SBA60-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU
110MT120KBVishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 3P 1.2KV 110A MTKG3S06520BGlobal Power Technology-GPTDIODE SIL CARB 650V 40A TO247AB
VS-KBPC602PBFVishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A D-72G3S06506AGlobal Power Technology-GPTDIODE SIC 650V 22.6A TO220AC
G3S-201PL-5VDCOmron Electronic ComponentsG3S12020BGlobal Power Technology-GPTSIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-P
KBP410GDiodes IncorporatedBRIDGE RECTIFIER KBP TUBE 35PCS
B250S-SLIMDiotec Semiconductor1PH BRIDGE SO-DIL 600V 1AG3SBA60-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBU| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.