מפרטי טק G3SBA80-E3/51
מפרטים טכניים Vishay General Semiconductor - Diodes Division - G3SBA80-E3/51, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Vishay General Semiconductor - Diodes Division - G3SBA80-E3/51
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| מתח - פסגה לאחור (מקס) | 800 V | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1 V @ 2 A | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | |
| מארז התקן של הספק | GBU | |
| סִדרָה | - | |
| אריזה / מארז | 4-SIP, GBU |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| חֲבִילָה | Bulk | |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| סוג דיודה | Single Phase | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 800 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 2.3 A | |
| מספר מוצר בסיס | G3SBA80 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA80-E3/51.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | G3SBA80-E3/51 | DB204S | VS-36MB60A | TS25P05G |
| יַצרָן | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Rectron USA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Taiwan Semiconductor Corporation |
| סוג השמה | Through Hole | Surface Mount | QC Terminal | Through Hole |
| מספר מוצר בסיס | G3SBA80 | - | 36MB60 | TS25P05 |
| מתח - פסגה לאחור (מקס) | 800 V | 400 V | 600 V | 600 V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | Standard | Standard | Standard |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1 V @ 2 A | 1.1 V @ 2 A | - | 1.1 V @ 15 A |
| אריזה / מארז | 4-SIP, GBU | 4-SMD, Gull Wing | 4-Square, D-34 | 4-SIP, TS-6P |
| חֲבִילָה | Bulk | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tube |
| סוג דיודה | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 800 V | 5 µA @ 400 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 2.3 A | 2 A | 35 A | 25 A |
| מארז התקן של הספק | GBU | DB-S | D-34 | TS-6P |
הורד G3SBA80-E3/51 PDF גיליונות נתונים ותיעוד Vishay General Semiconductor - Diodes Division עבור G3SBA80-E3/51 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
G3S06520BGlobal Power Technology-GPTDIODE SIL CARB 650V 40A TO247ABDB204SRectron USABRIDGE RECT 400V 2A DB-S
G3SBA60Electro-Films (EFI) / VishayVS-36MB60AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 35A D-34TS25P05GTaiwan Semiconductor CorporationBRIDGE RECT 1P 600V 25A TS-6P
GBU6MSURGE6A -1000V - GBU - BRIDGE
G3S-201PL-5VDCOmron Electronic Components
G3S168JBN/A
GBPC1508Fairchild SemiconductorBRIDGE RECTIFIER DIODE, 1 PHASE,G3SBA60-E3/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBUG3SBA60-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 600V 2.3A GBUG3SBA80Electro-Films (EFI) / Vishay
MP5010WMicro Commercial CoBRIDGE RECT 1P 1KV 50A MP-50WW
VUO50-08NO3IXYSBRIDGE RECT 3P 800V 58A FO-F-B
GBU4M-GComchip TechnologyBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A GBUG3S12010BGlobal Power Technology-GPTSIC SCHOTTKY DIODE 1200V 10A 3-PG3S12020BGlobal Power Technology-GPTSIC SCHOTTKY DIODE 1200V 20A 3-PG3S06506AGlobal Power Technology-GPTDIODE SIC 650V 22.6A TO220AC| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? אנא הוסף לעגלה , ניצור איתך קשר מייד.