מפרטי טק G2SBA60-E3/45
מפרטים טכניים Vishay General Semiconductor - Diodes Division - G2SBA60-E3/45, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Vishay General Semiconductor - Diodes Division - G2SBA60-E3/45
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| מתח - פסגה לאחור (מקס) | 600 V | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1 V @ 750 mA | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | |
| מארז התקן של הספק | GBL | |
| סִדרָה | - | |
| אריזה / מארז | 4-SIP, GBL |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| חֲבִילָה | Tube | |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| סוג דיודה | Single Phase | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 600 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 1.5 A | |
| מספר מוצר בסיס | G2SBA60 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Vishay General Semiconductor - Diodes Division G2SBA60-E3/45.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | G2SBA60-E3/45 | DFB2540 | GBPC2508 | VUO52-12NO1 |
| יַצרָן | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi | SMC Diode Solutions | IXYS |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | QC Terminal | Chassis Mount |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tape & Box (TB) | Box |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | Standard | Standard | Standard |
| מספר מוצר בסיס | G2SBA60 | DFB25 | GBPC2508 | VUO52 |
| אריזה / מארז | 4-SIP, GBL | 4-SIP, TS-6P | 4-Square, GBPC | V1-A |
| מתח - פסגה לאחור (מקס) | 600 V | 400 V | 800 V | 1.2 kV |
| מארז התקן של הספק | GBL | TS-6P | GBPC | V1-A |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 600 V | 10 µA @ 400 V | 5 µA @ 800 V | 40 µA @ 1200 V |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 1.5 A | 25 A | 25 A | 54 A |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| סוג דיודה | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Three Phase |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1 V @ 750 mA | 1.1 V @ 25 A | 1.1 V @ 12.5 A | 1.13 V @ 20 A |
הורד G2SBA60-E3/45 PDF גיליונות נתונים ותיעוד Vishay General Semiconductor - Diodes Division עבור G2SBA60-E3/45 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
DFB2540onsemiBRIDGE RECT 1PHASE 400V 25A TS6PGBPC2508SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 800V 25A GBPC
G2SB60GSVUO52-12NO1IXYSBRIDGE RECT 3P 1.2KV 54A V1-A
MB1505WMicro Commercial CoBRIDGE RECT 1P 50V 15A MB-35W
60MT120KBVishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 3PHASE 1.2KV 60A MTK
VBO13-08NO2IXYSBRIDGE RECT 1PHASE 800V 18A FO-ADFB2005onsemiBRIDGE RECT 1PHASE 50V 20A TS6P
GBP210Diodes IncorporatedLOW POWER BRIDGE GBP TUBE 35PCS
GBPC2506SURGE25A -600V - GBPC - BRIDGEG2SBA80-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 1.5A GBL
GBPC3508HY Electronic (Cayman) LimitedGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIE
B485F-2TSensata-CrydomBRIDGE RECT 1PHASE 1.2KV 50A
VBO30-18NO7IXYSBRIDGE RECT 1P 1.8KV 35A PWS-AVUO80-18NO1IXYSBRIDGE RECT 3P 1.8KV 82A V1-A
GBU810Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 8A GBUG2SB460GULFSEMI70MT120KBVishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 3PHASE 1.2KV 70A MTK| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.