מפרטי טק 3KBP06M-E4/51
מפרטים טכניים Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 3KBP06M-E4/51, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Vishay General Semiconductor - Diodes Division - 3KBP06M-E4/51
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | |
| מתח - פסגה לאחור (מקס) | 600 V | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.05 V @ 3 A | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | |
| מארז התקן של הספק | KBPM | |
| סִדרָה | - | |
| אריזה / מארז | 4-SIP, KBPM |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| חֲבִילָה | Tray | |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| סוג דיודה | Single Phase | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 600 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 3 A | |
| מספר מוצר בסיס | 3KBP06 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Vishay General Semiconductor - Diodes Division 3KBP06M-E4/51.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | 3KBP06M-E4/51 | MSD160-12 | VUO62-18NO7 | APT40DC120HJ |
| יַצרָן | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Microsemi Corporation | IXYS | Microsemi Corporation |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | Standard | Standard | Silicon Carbide Schottky |
| אריזה / מארז | 4-SIP, KBPM | M3 | PWS-D | SOT-227-4, miniBLOC |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 3 A | 160 A | 63 A | 40 A |
| חֲבִילָה | Tray | Bulk | Box | Bulk |
| מארז התקן של הספק | KBPM | M3 | PWS-D | SOT-227 |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| מתח - פסגה לאחור (מקס) | 600 V | 1.2 kV | 1.8 kV | 1.2 kV |
| סוג השמה | Through Hole | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| מספר מוצר בסיס | 3KBP06 | - | VUO62 | APT40DC120 |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 600 V | 500 µA @ 1200 V | 300 µA @ 1800 V | 800 µA @ 1200 V |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.05 V @ 3 A | 1.65 V @ 300 A | 1.8 V @ 150 A | 1.8 V @ 40 A |
| סוג דיודה | Single Phase | Three Phase | Three Phase | Single Phase |
הורד 3KBP06M-E4/51 PDF גיליונות נתונים ותיעוד Vishay General Semiconductor - Diodes Division עבור 3KBP06M-E4/51 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.
MSD160-12Microsemi CorporationBRIDGE RECT 3PHASE 1.2KV 160A M3VUO62-18NO7IXYSBRIDGE RECT 3P 1.8KV 63A PWS-DAPT40DC120HJMicrosemi CorporationBRIDGE RECT 1P 1.2KV 40A SOT227
B250C1500G-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 400V 1.5A WOG
BGX50AE6327HTSA1Infineon TechnologiesBRIDGE RECT 1P 70V 140MA SOT143
52MT80KBVishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 3PHASE 800V 55A MTK
PB3506-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1P 600V 35A PB
KBPC2508WYangjie TechnologyDiodes - Bridge Rectifiers KBPC-VUO82-16NO7IXYSBRIDGE RECT 3P 1.6KV 88A PWS-D
KBU610Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 6A KBU
GBJ25MSURGE25A -1000V - GBJ - BRIDGE
VUO98-14NO7IXYSBRIDGE RECT 3P 1.4KV ECO-PAC2
KBU4M-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 4A KBU
GBU804Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A GBUVUM85-05AIXYSBRIDGE RECT 3P 500V 47A V2-PAK
MBS8 RCGTSC (Taiwan Semiconductor)BRIDGE RECT 1P 800V 800MA MBS
KBJ406Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 600V 4A 4KBJKBP06M-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1P 600V 1.5A KBPM| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.