מפרטי טק ES1JL R3G
מפרטים טכניים TSC (Taiwan Semiconductor) - ES1JL R3G, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- TSC (Taiwan Semiconductor) - ES1JL R3G
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Taiwan Semiconductor | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.7V @ 1A | |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 600V | |
| מארז התקן של הספק | Sub SMA | |
| מְהִירוּת | Fast Recovery = 200mA (Io) | |
| סִדרָה | - | |
| זמן שחזור לאחור (trr) | 35ns | |
| אריזה | Tape & Reel (TR) | |
| אריזה / מארז | DO-219AB | |
| שמות אחרים | ES1JL R3GTR ES1JL R3GTR-ND ES1JLR3GTR |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה - צומת | -55°C ~ 150°C | |
| סוג השמה | Surface Mount | |
| רמת רגישות לחות (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| זמן אספקה רגיל של היצרן | 21 Weeks | |
| מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
| סוג דיודה | Standard | |
| תיאור מפורט | Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5µA @ 600V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 1A | |
| קיבול @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- TSC (Taiwan Semiconductor) ES1JL R3G.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | ES1JL R3G | ES1JFL | ES1J-TP | ES1JFL |
| יַצרָן | TSC (Taiwan Semiconductor) | onsemi | Micro Commercial Co | Taiwan Semiconductor Corporation |
| אריזה | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
| זמן אספקה רגיל של היצרן | 21 Weeks | - | - | - |
| אריזה / מארז | DO-219AB | SOD-123F | DO-214AC, SMA | SOD-123F |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.7V @ 1A | 1.7 V @ 1 A | 1.35 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| סוג דיודה | Standard | - | - | - |
| סוג השמה | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| תיאור מפורט | Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA | - | - | - |
| קיבול @ Vr, F | 8pF @ 4V, 1MHz | 7pF @ 4V, 1MHz | 45pF @ 4V, 1MHz | 8pF @ 4V, 1MHz |
| מארז התקן של הספק | Sub SMA | SOD-123F | DO-214AC (HSMA) | SOD-123F |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 600V | 600 V | 600 V | 600 V |
| מְהִירוּת | Fast Recovery = 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| שמות אחרים | ES1JL R3GTR ES1JL R3GTR-ND ES1JLR3GTR |
- | - | - |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -50°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| זמן שחזור לאחור (trr) | 35ns | 35 ns | 75 ns | 35 ns |
| מעמד של נטול עופרת / מעמד לפי RoHS | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| רמת רגישות לחות (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5µA @ 600V | 500 nA @ 600 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 600 V |
הורד ES1JL R3G PDF גיליונות נתונים ותיעוד TSC (Taiwan Semiconductor) עבור ES1JL R3G - TSC (Taiwan Semiconductor).
ES1JFLonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FES1JL-04RUTaiwan Semiconductor
ES1J-R1PANJITES1J_R1PANJITES1JS T/RPANJITES1JHFPANJITES1JL_RUGTaiwan SemiconductorES1JHR2GTaiwan SemiconductorES1J-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 600V 1A DO214ACES1JL-40 RUES1JFLTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FES1JF R3GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 1A SMA-FL
ES1J_NLFairchild (onsemi)ES1J-SMAG-T5MDD
ES1J_R1_00001Panjit International Inc.DIODE GEN PURP 600V 1A SMAES1JAFonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A DO214ADES1JT/RPANJITES1JT/R/ES1JTOSHIBA/PANJIT/XX| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.