מפרטי טק S3JB-TP
מפרטים טכניים Micro Commercial Co - S3JB-TP, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Micro Commercial Co - S3JB-TP
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Micro Commercial Components (MCC) | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.15 V @ 3 A | |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 600 V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | |
| מארז התקן של הספק | DO-214AA (SMB) | |
| מְהִירוּת | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| סִדרָה | - | |
| אריזה / מארז | DO-214AA, SMB |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | |
| טמפרטורת פעולה - צומת | - | |
| סוג השמה | Surface Mount | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 10 µA @ 600 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 3A | |
| קיבול @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz | |
| מספר מוצר בסיס | S3J |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Micro Commercial Co S3JB-TP.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | S3JB-TP | S3JHE3/9AT | 1N5819UR-1 | S3JB-13-F |
| יַצרָן | Micro Commercial Co | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Microchip Technology | Diodes Incorporated |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 3A | 3A | 1A | 3A |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | Standard | Schottky | Standard |
| סוג השמה | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| אריזה / מארז | DO-214AA, SMB | DO-214AB, SMC | DO-213AB, MELF (Glass) | DO-214AA, SMB |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.15 V @ 3 A | 1.15 V @ 2.5 A | 490 mV @ 1 A | 1.15 V @ 3 A |
| טמפרטורת פעולה - צומת | - | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C |
| קיבול @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz | 60pF @ 4V, 1MHz | 70pF @ 5V, 1MHz | 40pF @ 4V, 1MHz |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 600 V | 600 V | 45 V | 600 V |
| סִדרָה | - | Automotive, AEC-Q101 | - | - |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 50 µA @ 45 V | 10 µA @ 600 V |
| מארז התקן של הספק | DO-214AA (SMB) | DO-214AB (SMC) | DO-213AB (MELF, LL41) | SMB |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tape & Reel (TR) |
| מְהִירוּת | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| מספר מוצר בסיס | S3J | S3J | 1N5819 | S3J |
הורד S3JB-TP PDF גיליונות נתונים ותיעוד Micro Commercial Co עבור S3JB-TP - Micro Commercial Co.
S3JHE3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB1N5819UR-1Microchip TechnologyDIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213ABS3JB-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 600V 3A SMB
S3J-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 600V 3A SMC
R7011404XXUAPowerex Inc.DIODE GP REV 1.4KV 450A DO200AA
1N1194Solid State Inc.DIODE GEN PURP 12A DO4S3J-E3/57TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB150K60ASolid State Inc.DIODE GEN PURP 600V 150A DO8
S3JB R4Taiwan SemiconductorS3JHE3/57TVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 3A DO214ABS3JHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 3A DO214ABS3J R7Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
S3J-13-F-73Diodes IncorporatedS3JB-13-F-73Diodes IncorporatedS3J R6Taiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
NSR01F30NXT5GFairchild SemiconductorRECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 0.1A,
S3J-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 600V 3A SMCS3J-E3/9ATVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.