מפרטי טק 1N5821
מפרטים טכניים Microchip Technology - 1N5821, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Microchip Technology - 1N5821
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Microchip Technology | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 500 mV @ 3 A | |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 30 V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Schottky | |
| מארז התקן של הספק | B, Axial | |
| מְהִירוּת | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| סִדרָה | - |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| אריזה / מארז | B, Axial | |
| חֲבִילָה | Bulk | |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 125°C | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 100 µA @ 30 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 3A | |
| קיבול @ Vr, F | - |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Microchip Technology 1N5821.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | 1N5821 | 1N5820-E3/73 | 1N5821-E3/54 | 1N5821RLG |
| יַצרָן | Microchip Technology | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | onsemi |
| מְהִירוּת | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| מארז התקן של הספק | B, Axial | DO-201AD | DO-201AD | Axial |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| חֲבִילָה | Bulk | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 100 µA @ 30 V | 2 mA @ 20 V | 2 mA @ 30 V | 2 mA @ 30 V |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 30 V | 20 V | 30 V | 30 V |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 500 mV @ 3 A | 475 mV @ 3 A | 500 mV @ 3 A | 500 mV @ 3 A |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| אריזה / מארז | B, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial |
| קיבול @ Vr, F | - | - | - | - |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C |
הורד 1N5821 PDF גיליונות נתונים ותיעוד Microchip Technology עבור 1N5821 - Microchip Technology.
1N5820-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD1N5821-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD1N5821RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 30V 3A AXIAL
1N5821RLSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD
1N5822Yangjie TechnologyDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD1N5821NTE Electronics, IncDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD1N5820RLSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD
1N5821Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD
1N5820-TDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD1N5820GonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 3A AXIAL1N5821STMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD
1N5821Fairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO2011N5820-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD1N5820RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 3A AXIAL
1N5821onsemiDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD1N5822STMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 40V 3A DO201AD1N5820RLonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 3A AXIAL1N5821Diotec SemiconductorSCHOTTKY DO-201 30V 3A| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.