מפרטי טק 1N5820
מפרטים טכניים Microchip Technology - 1N5820, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Microchip Technology - 1N5820
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Microchip Technology | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 500 mV @ 3 A | |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 20 V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Schottky | |
| מארז התקן של הספק | B, Axial | |
| מְהִירוּת | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| סִדרָה | - |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| אריזה / מארז | B, Axial | |
| חֲבִילָה | Bulk | |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 125°C | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 100 µA @ 20 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 3A | |
| קיבול @ Vr, F | - |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Microchip Technology 1N5820.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | 1N5820 | 1N5820G | 1N5820-E3/73 | 1N5820 |
| יַצרָן | Microchip Technology | onsemi | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Taiwan Semiconductor Corporation |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| מְהִירוּת | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 500 mV @ 3 A | 475 mV @ 3 A | 475 mV @ 3 A | 475 mV @ 3 A |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 100 µA @ 20 V | 2 mA @ 20 V | 2 mA @ 20 V | 500 µA @ 20 V |
| אריזה / מארז | B, Axial | DO-201AA, DO-27, Axial | DO-201AD, Axial | DO-201AD, Axial |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Schottky | Schottky | Schottky | Schottky |
| קיבול @ Vr, F | - | - | - | 200pF @ 4V, 1MHz |
| מארז התקן של הספק | B, Axial | Axial | DO-201AD | DO-201AD |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 3A | 3A | 3A | 3A |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | -65°C ~ 125°C | -55°C ~ 125°C |
| חֲבִילָה | Bulk | Bulk | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 20 V | 20 V | 20 V | 20 V |
הורד 1N5820 PDF גיליונות נתונים ותיעוד Microchip Technology עבור 1N5820 - Microchip Technology.
1N5820GonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 3A AXIAL1N5820-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD1N5820Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD1N5821Taiwan Semiconductor CorporationDIODE SCHOTTKY 30V 3A DO201AD1N5820RLonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 3A AXIAL
1N5820Fairchild SemiconductorDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO2011N5820RLGonsemiDIODE SCHOTTKY 20V 3A AXIAL
1N5819WT S4CJ
1N5820-TDiodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD
1N5820STMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD1N5820NTE Electronics, IncDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD1N5820-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD1N5819WS SL 1AJD1N5819WTJXND
1N5820onsemiDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD1N5820Diotec SemiconductorSCHOTTKY DO-201 20V 3A1N5820RLSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD1N5819_AY_10001PANJIT| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.