מפרטי טק 1N3649R
מפרטים טכניים Microchip Technology - 1N3649R, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Microchip Technology - 1N3649R
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Microchip Technology | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 2.2 V @ 10 A | |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 800 V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | |
| מארז התקן של הספק | DO-203AA (DO-4) | |
| מְהִירוּת | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| סִדרָה | Military, MIL-PRF-19500/260 |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| אריזה / מארז | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| חֲבִילָה | Bulk | |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 150°C | |
| סוג השמה | Stud Mount | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 800 V | |
| קיבול @ Vr, F | - |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Microchip Technology 1N3649R.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | 1N3649R | 1N3661 | 1N3624 | 1N3624R |
| יַצרָן | Microchip Technology | Microchip Technology | Solid State Inc. | Microchip Technology |
| סִדרָה | Military, MIL-PRF-19500/260 | - | - | - |
| מְהִירוּת | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 2.2 V @ 10 A | 1.1 V @ 35 A | 1.2 V @ 50 A | 1.1 V @ 30 A |
| אריזה / מארז | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-208AA | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| קיבול @ Vr, F | - | - | - | - |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 800 V | 10 µA @ 200 V | 600 µA @ 1000 V | 10 µA @ 1000 V |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 200°C | -65°C ~ 200°C |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | Standard | Standard | Standard |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 800 V | 200 V | 1000 V | 1000 V |
| סוג השמה | Stud Mount | Press Fit | Stud Mount | Stud Mount |
| מארז התקן של הספק | DO-203AA (DO-4) | DO-21 | DO-4 | DO-4 (DO-203AA) |
| חֲבִילָה | Bulk | Bulk | Box | Bulk |
הורד 1N3649R PDF גיליונות נתונים ותיעוד Microchip Technology עבור 1N3649R - Microchip Technology.
1N3661Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 200V 35A DO211N3624Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 16A DO41N3624RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 25A DO41N3650Microchip TechnologyDIODE GEN PURP DO203AA1N3624Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 1KV 16A DO41N3623RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 16A DO41N3649Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 800V DO203AA1N3624RSolid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 16A DO41N3650RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP DO203AA1N3650RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 1KV 3.3A DO41N3649Solid State Inc.DIODE GEN PURP 800V 3.3A DO41N3650Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 3.3A DO41N3659Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 50V 35A DO211N3660RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 100V 35A DO211N3659RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP REV 50V 35A DO211N3649RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 800V 3.3A DO41N3660Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 100V 35A DO211N3623RMicrochip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 16A DO4| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.