מפרטי טק HIP6601BECB
מפרטים טכניים Intersil - HIP6601BECB, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Intersil - HIP6601BECB
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Intersil (Renesas Electronics Corporation) | |
| אספקת מתח | 10.8V ~ 13.2V | |
| מארז התקן של הספק | 8-SOIC-EP | |
| סִדרָה | - | |
| זמן עלייה / סתיו (טיפוסי) | 20ns, 20ns | |
| אריזה / מארז | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad | |
| חֲבִילָה | Tube | |
| טמפרטורת פעולה | 0°C ~ 125°C (TJ) | |
| מספר מנהלי התקנים | 2 |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| סוג השמה | Surface Mount | |
| לוגיקה מתח - VIL, VIH | - | |
| סוג קלט | Non-Inverting | |
| High Side מתח - מקס '(Bootstrap) | 15 V | |
| סוג שער | N-Channel MOSFET | |
| התצורה מונחה | Half-Bridge | |
| זרם - שיא פלט (מקור, סינק) | - | |
| סוג ערוץ | Synchronous | |
| מספר מוצר בסיס | HIP6601 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Intersil HIP6601BECB.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | HIP6601BECB | HIP6601BECB-T | HIP6602ACB | HIP6601CB |
| יַצרָן | Intersil | Renesas Electronics America Inc | Intersil | Harris Corporation |
| סוג שער | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| High Side מתח - מקס '(Bootstrap) | 15 V | 15 V | - | - |
| מארז התקן של הספק | 8-SOIC-EP | 8-SOIC-EP | 14-SOIC | 8-SOIC |
| חֲבִילָה | Tube | Tape & Reel (TR) | Bulk | Bulk |
| מספר מוצר בסיס | HIP6601 | HIP6601 | HIP6602 | HIP6601 |
| זמן עלייה / סתיו (טיפוסי) | 20ns, 20ns | 20ns, 20ns | 20ns, 20ns | 20ns, 20ns |
| אספקת מתח | 10.8V ~ 13.2V | 10.8V ~ 13.2V | 1.8V ~ 13.2V | 5V ~ 12V |
| לוגיקה מתח - VIL, VIH | - | - | - | - |
| טמפרטורת פעולה | 0°C ~ 125°C (TJ) | 0°C ~ 125°C (TJ) | 0°C ~ 85°C (TA) | 0°C ~ 85°C (TA) |
| אריזה / מארז | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| סוג ערוץ | Synchronous | Synchronous | Synchronous | Independent |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| סוג קלט | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| סוג השמה | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר מנהלי התקנים | 2 | 2 | 4 | 2 |
| התצורה מונחה | Half-Bridge | Half-Bridge | Full-Bridge | Half-Bridge |
| זרם - שיא פלט (מקור, סינק) | - | - | 730mA, - | - |
HIP6601BCBZA-TS2490Intersil (Renesas Electronics Corporation)
HIP6601CB-THARHIP6601BECB-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICHIP6602ACBIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERHIP6601CBHarris CorporationRECTIFIED BUCK MOSFET DRIVER
HIP6601BCBRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC
HIP6602BCBRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOICHIP6601BCBZRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICHIP6601CABIntersil (Renesas Electronics Corporation)HIP6601CBIntersilHIP6601 - SYNCHRONOUS-RECTIFIEDHIP6601BCB-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICHIP6601BCBIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERHIP6601BECBZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICHIP6601BCBZ-TIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER,HIP6601BCB-TIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVERHIP6601BCBZ-TRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICHIP6601BECBRenesas Electronics America IncIC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOICHIP6601ACB-TIntersilHALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.