מפרטי טק W4767MC220
מפרטים טכניים IXYS - W4767MC220, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- IXYS - W4767MC220
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | IXYS Corporation | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.05 V @ 3000 A | |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 2200 V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | |
| מארז התקן של הספק | W54 | |
| מְהִירוּת | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| סִדרָה | - | |
| זמן שחזור לאחור (trr) | 26 µs |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| אריזה / מארז | DO-200AC, K-PUK | |
| חֲבִילָה | Box | |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -40°C ~ 175°C | |
| סוג השמה | Clamp On | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 50 mA @ 2200 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 4755A | |
| קיבול @ Vr, F | - | |
| מספר מוצר בסיס | W4767 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- IXYS W4767MC220.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | W4767MC220 | STPSC4H065B-TR | 1N3664 | VS-30ETU12T-N3 |
| יַצרָן | IXYS | STMicroelectronics | Microchip Technology | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| זמן שחזור לאחור (trr) | 26 µs | 0 ns | - | 220 ns |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -40°C ~ 175°C | -40°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C |
| אריזה / מארז | DO-200AC, K-PUK | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | DO-208AA | TO-220-2 |
| סִדרָה | - | - | - | FRED Pt® |
| חֲבִילָה | Box | Tape & Reel (TR) | Bulk | Tube |
| מְהִירוּת | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | No Recovery Time > 500mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 50 mA @ 2200 V | 40 µA @ 650 V | 10 µA @ 500 V | 145 µA @ 1200 V |
| קיבול @ Vr, F | - | 200pF @ 0V, 1MHz | - | - |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | SiC (Silicon Carbide) Schottky | Standard | Standard |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 2200 V | 650 V | 500 V | - |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 4755A | 4A | 35A | 30A |
| מספר מוצר בסיס | W4767 | STPSC4 | - | 30ETU12 |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.05 V @ 3000 A | 1.75 V @ 4 A | 1.1 V @ 35 A | 2.68 V @ 30 A |
| סוג השמה | Clamp On | Surface Mount | Press Fit | Through Hole |
| מארז התקן של הספק | W54 | DPAK | DO-21 | TO-220AC |
W4713HM300WESTCODEIGBT ModuleW4713HL300WESTCODEIGBT ModuleSTPSC4H065B-TRSTMicroelectronicsDIODE SIL CARBIDE 650V 4A DPAK1N3664Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 500V 35A DO21W4713HM350WESTCODEIGBT ModuleVS-30ETU12T-N3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 30A TO220AC
SS3P6-M3/85AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 3A DO220AAS4280Microchip TechnologyDIODE GEN PURP 800V 125A DO205AA
STTH30R04DSTMicroelectronicsDIODE GEN PURP 400V 30A TO220ACW4767MC180WESTCODEIGBT Module
1N1664RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 300V 275A DO9W4713HL350WESTCODEIGBT Module
1N4937Fairchild SemiconductorDIODE GEN PURP 600V 1A AXIALNTE5897NTE Electronics, IncDIODE GEN PURP 200V 16A DO4
40HF140Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1.4KV 40A DO5
US1A-13-FDiodes IncorporatedDIODE GEN PURP 50V 1A SMA
SBR8U60P5Q-13DDiodes IncorporatedDIODE SBR 60V 8A POWERDI5 T&R
MSS1P3-M3/89AVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 30V 1A MICROSMP| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? [AddToCartTip]未找到翻译