מפרטי טק VWM270-0075X2
מפרטים טכניים IXYS - VWM270-0075X2, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- IXYS - VWM270-0075X2
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | IXYS Corporation | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 500µA | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | V2-PAK | |
| סִדרָה | - | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 2.1mOhm @ 100A, 10V | |
| הספק - מקסימום | - | |
| אריזה / מארז | V2-PAK | |
| חֲבִילָה | Box |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
| סוג השמה | Chassis Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | - | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 360nC @ 10V | |
| מאפיין FET | - | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 75V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 270A | |
| תְצוּרָה | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | |
| מספר מוצר בסיס | VWM270 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- IXYS VWM270-0075X2.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | VWM270-0075X2 | PMDPB70EN,115 | SI4952DY-T1-GE3 | VWM200-01P |
| יַצרָן | IXYS | Nexperia USA Inc. | Vishay Siliconix | IXYS |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | - | 130pF @ 15V | 680pF @ 13V | - |
| מאפיין FET | - | Logic Level Gate | Logic Level Gate | - |
| סִדרָה | - | - | TrenchFET® | - |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 2.1mOhm @ 100A, 10V | 57mOhm @ 3.5A, 10V | 23mOhm @ 7A, 10V | 5.2mOhm @ 100A, 10V |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 500µA | 2.5V @ 250µA | 2.2V @ 250µA | 4V @ 2mA |
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| אריזה / מארז | V2-PAK | 6-UFDFN Exposed Pad | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | V2-PAK |
| חֲבִילָה | Box | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | Box |
| תְצוּרָה | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) | 2 N-Channel (Dual) | 2 N-Channel (Dual) | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| מארז התקן של הספק | V2-PAK | 6-HUSON (2x2) | 8-SOIC | V2-PAK |
| הספק - מקסימום | - | 510mW | 2.8W | - |
| מספר מוצר בסיס | VWM270 | PMDPB70 | SI4952 | VWM200 |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 75V | 30V | 25V | 100V |
| סוג השמה | Chassis Mount | Surface Mount | Surface Mount | Chassis Mount |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 270A | 3.5A | 8A | 210A |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 360nC @ 10V | 4.5nC @ 10V | 18nC @ 10V | 430nC @ 10V |
הורד VWM270-0075X2 PDF גיליונות נתונים ותיעוד IXYS עבור VWM270-0075X2 - IXYS.
PMDPB70EN,115Nexperia USA Inc.MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 6DFNSI4952DY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOICVWM200-01PIXYSMOSFET 6N-CH 100V 210A V2VMM90-09FIXYSMOSFET 2N-CH 900V 85A Y3-LI
DMP1046UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
FDC6320ConsemiMOSFET N/P-CH 25V SSOT6
FDS6910onsemiMOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOICFDME1034CZTonsemiMOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET
DMC3028LSDX-13Diodes IncorporatedMOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO
2SJ550STL-ERenesas Electronics America Inc15A, 60V, P-CHANNEL MOSFET
SI5944DU-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAKZXMD63N02XTCDiodes IncorporatedMOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOPSI4922BDY-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
AON3611Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET N/P-CH 30V 5A/6A 8DFN
IRF9910Infineon TechnologiesMOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
TC6320K6-GMicrochip TechnologyMOSFET N/P-CH 200V 8VDFN
IRF5851TRInfineon TechnologiesMOSFET N/P-CH 20V 6-TSOPSI1900DL-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.