מפרטי טק VKM60-01P1
מפרטים טכניים IXYS - VKM60-01P1, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- IXYS - VKM60-01P1
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | IXYS Corporation | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 4mA | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | ECO-PAC2 | |
| סִדרָה | HiPerFET™ | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 25mOhm @ 500mA, 10V | |
| הספק - מקסימום | 300W | |
| אריזה / מארז | ECO-PAC2 | |
| חֲבִילָה | Box |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 4500pF @ 25V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 260nC @ 10V | |
| מאפיין FET | - | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 100V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 75A | |
| תְצוּרָה | 4 N-Channel (Half Bridge) | |
| מספר מוצר בסיס | VKM60 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- IXYS VKM60-01P1.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | VKM60-01P1 | FDMS3604S | VKM40-06P1 | AO4852 |
| יַצרָן | IXYS | Fairchild Semiconductor | IXYS | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
| סוג השמה | Through Hole | Surface Mount | Chassis Mount | Surface Mount |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 4500pF @ 25V | 1785pF @ 15V | - | 450pF @ 30V |
| הספק - מקסימום | 300W | 1W | - | 1.4W |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 4mA | 2.7V @ 250µA | 5.5V @ 3mA | 2.6V @ 250µA |
| מארז התקן של הספק | ECO-PAC2 | 8-PQFN (5x6) | ECO-PAC2 | 8-SOIC |
| חֲבִילָה | Box | Bulk | Box | Tape & Reel (TR) |
| מאפיין FET | - | Logic Level Gate | - | Logic Level Gate |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 75A | 13A, 23A | 38A | 3A |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 260nC @ 10V | 29nC @ 10V | 220nC @ 10V | 9.2nC @ 10V |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 100V | 30V | 600V | 60V |
| סִדרָה | HiPerFET™ | PowerTrench® | - | - |
| מספר מוצר בסיס | VKM60 | FDMS3604 | VHM40 | AO485 |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 25mOhm @ 500mA, 10V | 8mOhm @ 13A, 10V | 70mOhm @ 25A, 10V | 90mOhm @ 3A, 10V |
| אריזה / מארז | ECO-PAC2 | 8-PowerTDFN | ECO-PAC2 | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| תְצוּרָה | 4 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | 4 N-Channel (Half Bridge) | 2 N-Channel (Dual) |
FDMS3604SFairchild SemiconductorPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1VKM40-06P1IXYSMOSFET 4N-CH 600V 38A ECO-PAC2VKM40-06IO1IXYS / LittelfuseIGBT ModuleAO4852Alpha & Omega Semiconductor Inc.MOSFET 2N-CH 60V 3A 8-SOIC
IRF7325TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
SI4941EDY-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 30V 10A 8-SOIC
SI3590DV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
ZXMHC10A07T8TADiodes IncorporatedMOSFET 2N/2P-CH 100V 1A/0.8A SM8SI3951DV-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET 2P-CH 20V 2.7A 6-TSOPRF1K49092Fairchild SemiconductorP-CHANNEL POWER MOSFET
SLA5086Sanken Electric USA Inc.MOSFET 5P-CH 60V 5A 12-SIP
SIZ900DT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 2N-CH 30V 24A POWERPAIR
DMPH6050SSD-13Diodes IncorporatedMOSFET 2 P-CHANNEL 5.2A 8SO
NTMC1300R2onsemiMOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
BUK9K13-40HXNexperia USA Inc.BUK9K13-40H - DUAL N-CHANNEL 40SQJB42EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8VKM40-06IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIRF7342QTRPBFInfineon TechnologiesMOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? אנא הוסף לעגלה , ניצור איתך קשר מייד.