מפרטי טק MIAA10WE600TMH
מפרטים טכניים IXYS - MIAA10WE600TMH, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- IXYS - MIAA10WE600TMH
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | IXYS Corporation | |
| מתח - פריצת קולט-פולט (מקס ') | 600 V | |
| Vce (on) (מקס) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 10A | |
| מארז התקן של הספק | MiniPack2 | |
| סִדרָה | - | |
| הספק - מקסימום | 70 W | |
| אריזה / מארז | MiniPack2 | |
| חֲבִילָה | Box | |
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| NTC Thermistor | Yes | |
| סוג השמה | Chassis Mount | |
| קיבולת קלט (Cies) @ Vce | 450 pF @ 25 V | |
| קֶלֶט | Single Phase Bridge Rectifier | |
| IGBT סוג | NPT | |
| זרם - קוצץ אספן (מקס ') | 600 µA | |
| זרם - אספן (Ic) (מקס ') | 18 A | |
| תְצוּרָה | Three Phase Inverter with Brake | |
| מספר מוצר בסיס | MIAA10W |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- IXYS MIAA10WE600TMH.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | MIAA10WE600TMH | F3L300R12MT4_B23 | FMG1G100US60L | MIAA10WF600TMH |
| יַצרָן | IXYS | Infineon Technologies | onsemi | IXYS |
| מתח - פריצת קולט-פולט (מקס ') | 600 V | 1200 V | 600 V | 600 V |
| זרם - קוצץ אספן (מקס ') | 600 µA | 1 mA | 250 µA | 600 µA |
| קֶלֶט | Single Phase Bridge Rectifier | Standard | Standard | Three Phase Bridge Rectifier |
| מארז התקן של הספק | MiniPack2 | AG-ECONOD-3 | 7PM-GA | MiniPack2 |
| הספק - מקסימום | 70 W | 1550 W | 400 W | 70 W |
| NTC Thermistor | Yes | Yes | No | Yes |
| זרם - אספן (Ic) (מקס ') | 18 A | 450 A | 100 A | 18 A |
| סוג השמה | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| IGBT סוג | NPT | Trench Field Stop | - | NPT |
| קיבולת קלט (Cies) @ Vce | 450 pF @ 25 V | 19 nF @ 25 V | 10.84 nF @ 30 V | 450 pF @ 25 V |
| סִדרָה | - | EconoDUAL™ 3 | - | - |
| תְצוּרָה | Three Phase Inverter with Brake | Half Bridge Inverter | Single | Three Phase Inverter |
| מספר מוצר בסיס | MIAA10W | F3L300 | FMG1 | MIAA10W |
| אריזה / מארז | MiniPack2 | Module | 7PM-GA | MiniPack2 |
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 125°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| חֲבִילָה | Box | Bulk | Bulk | Box |
| Vce (on) (מקס) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 10A | 2.1V @ 15V, 300A | 2.8V @ 15V, 100A | 2.6V @ 15V, 10A |
הורד MIAA10WE600TMH PDF גיליונות נתונים ותיעוד IXYS עבור MIAA10WE600TMH - IXYS.
F3L300R12MT4_B23Infineon TechnologiesF3L300R12 - IGBT MODULEFMG1G100US60LonsemiIGBT MODULE 600V 100A 400W 7PMGAMIAA10WF600TMHIXYSIGBT MOD 600V 18A 70W MINIPACK2MIAA20WE600TMHIXYSIGBT MOD 600V 29A 100W MINIPACK2
APT30GF60JU2Microchip TechnologyIGBT MODULE 600V 58A 192W SOT227MIAA15WB600TMHIXYSIGBT MOD 600V 23A 80W MINIPACK2MIAA20WD600TMHIXYSIGBT MOD 600V 29A 100W MINIPACK2FS150R07N3E4_B11Infineon TechnologiesIGBT MODULEMIAA15WE600TMHIXYSIGBT MOD 600V 23A 80W MINIPACK2MIAA10WD600TMHIXYSIGBT MOD 600V 18A 70W MINIPACK2MIAA20WB600TMHIXYSIGBT MOD 600V 29A 100W MINIPACK2MIAA10WB600TMHIXYSIGBT MOD 600V 18A 70W MINIPACK2MIEB100W1200TEHIXYSIGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
VS-GA200SA60UPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionIGBT MOD 600V 200A 500W SOT227
CPV363M4KVishay General Semiconductor - Diodes DivisionIGBT MODULE 600V 11A 36W IMS-2GA200SA60SVishay General Semiconductor - Diodes DivisionIGBT MOD 600V 200A 630W SOT227BMIAA200WB600TMHIXYS / LittelfuseIGBT ModuleMIAA15WD600TMHIXYSIGBT MOD 600V 23A 80W MINIPACK2| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? אנא הוסף לעגלה , ניצור איתך קשר מייד.