מפרטי טק IXTQ30N50P
מפרטים טכניים IXYS - IXTQ30N50P, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- IXYS - IXTQ30N50P
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | IXYS Corporation | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Vgs (מקס ') | ±30V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-3P | |
| סִדרָה | Polar | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 200mOhm @ 15A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 460W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-3P-3, SC-65-3 | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 4150 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 70 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 500 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IXTQ30 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- IXYS IXTQ30N50P.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IXTQ30N50P | IXTQ200N10T | IXTQ36N50P | IXTQ30N60P |
| יַצרָן | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 175°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Vgs (מקס ') | ±30V | ±30V | ±30V | ±30V |
| אריזה / מארז | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 | TO-3P-3, SC-65-3 |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 200mOhm @ 15A, 10V | 5.5mOhm @ 50A, 10V | 170mOhm @ 500mA, 10V | 240mOhm @ 15A, 10V |
| סִדרָה | Polar | Trench | Polar | Polar |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| פיזור הספק (מקס ') | 460W (Tc) | 550W (Tc) | 540W (Tc) | 540W (Tc) |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tube | Tube |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) | 200A (Tc) | 36A (Tc) | 30A (Tc) |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 4150 pF @ 25 V | 9400 pF @ 25 V | 5500 pF @ 25 V | 5050 pF @ 25 V |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 500 V | 100 V | 500 V | 600 V |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 5V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | 5V @ 250µA | 5V @ 250µA |
| מארז התקן של הספק | TO-3P | TO-3P | TO-3P | TO-3P |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 70 nC @ 10 V | 152 nC @ 10 V | 85 nC @ 10 V | 82 nC @ 10 V |
| מספר מוצר בסיס | IXTQ30 | IXTQ200 | IXTQ36 | IXTQ30 |
הורד IXTQ30N50P PDF גיליונות נתונים ותיעוד IXYS עבור IXTQ30N50P - IXYS.
IXTQ200N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 200A TO3PIXTQ36N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 36A TO3PIXTQ36N50P MOSIXYS / LittelfuseIXTQ30N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 30A TO3PIXTQ42N25PIXYSMOSFET N-CH 250V 42A TO3PIXTQ460P2IXYSMOSFET N-CH 500V 24A TO3PIXTQ36N50IXYS / LittelfuseIXTQ480PIXYS / LittelfuseIXTQ22N50P MOSIXYS / LittelfuseIXTQ44N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 44A TO3PIXTQ26N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 26A TO3PIXTQ200N06PIXYSMOSFET N-CH 60V 200A TO3PIXTQ22N60PIXYSMOSFET N-CH 600V 22A TO3PIXTQ26N50P MOSIXYS / LittelfuseIXTQ26N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 26A TO3PIXTQ22N50PIXYSMOSFET N-CH 500V 22A TO3PIXTQ36N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 36A TO3PIXTQ200N04TIXYS / Littelfuse| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.