מפרטי טק IXTH110N25T
מפרטים טכניים IXYS - IXTH110N25T, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- IXYS - IXTH110N25T
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | IXYS Corporation | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4.5V @ 1mA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | TO-247 (IXTH) | |
| סִדרָה | Trench | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 24mOhm @ 55A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 694W (Tc) | |
| אריזה / מארז | TO-247-3 | |
| חֲבִילָה | Tube |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 9400 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 157 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 250 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IXTH110 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- IXYS IXTH110N25T.
| תכונה של מוצר |  |
|
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IXTH110N25T | IXTH04N300P3HV | IXTH110N10L2 | IXTH10N100D2 |
| יַצרָן | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| מספר מוצר בסיס | IXTH110 | IXTH04 | IXTH110 | IXTH10 |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 9400 pF @ 25 V | 283 pF @ 25 V | 10500 pF @ 25 V | 5320 pF @ 25 V |
| סִדרָה | Trench | Polar P3™ | Linear L2™ | Depletion |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | - | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| פיזור הספק (מקס ') | 694W (Tc) | 104W (Tc) | 600W (Tc) | 695W (Tc) |
| מארז התקן של הספק | TO-247 (IXTH) | TO-247HV | TO-247 (IXTH) | TO-247 (IXTH) |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| אריזה / מארז | TO-247-3 | TO-247-3 Variant | TO-247-3 | TO-247-3 |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4.5V @ 1mA | 4V @ 250µA | 4.5V @ 250µA | - |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 110A (Tc) | 400mA (Tc) | 110A (Tc) | 10A (Tc) |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 250 V | 3000 V | 100 V | 1000 V |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 24mOhm @ 55A, 10V | 190Ohm @ 200mA, 10V | 18mOhm @ 500mA, 10V | 1.5Ohm @ 5A, 10V |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 157 nC @ 10 V | 13 nC @ 10 V | 260 nC @ 10 V | 200 nC @ 5 V |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±20V | ±20V | ±20V |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Bulk | Tube |
| מאפיין FET | - | - | - | Depletion Mode |
הורד IXTH110N25T PDF גיליונות נתונים ותיעוד IXYS עבור IXTH110N25T - IXYS.
IXTH04N300P3HVIXYSMOSFET N-CH 3000V 400MA TO247HVIXTH110N10L2IXYSMOSFET N-CH 100V 110A TO247IXTH10N100D2IXYSMOSFET N-CH 1000V 10A TO247IXTH12N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
IXTH100N25PIXYS / LittelfuseIXTH102N15TIXYSMOSFET N-CH 150V 102A TO247IXTH11N80IXYS / LittelfuseIXTH10P50PIXYSMOSFET P-CH 500V 10A TO247IXTH12N100QIXYSMOSFET N-CH 1000V 12A TO247IXTF200N10TIXYSMOSFET N-CH 100V 90A I4PACIXTH11P50IXYSMOSFET P-CH 500V 11A TO247IXTH10P60IXYSMOSFET P-CH 600V 10A TO247IXTH12N120IXYSMOSFET N-CH 1200V 12A TO247IXTH102N20TIXYSMOSFET N-CH 200V 102A TO247IXTH12N100IXYSMOSFET N-CH 1000V 12A TO247IXTH12N90IXYSMOSFET N-CH 900V 12A TO247IXTE250N10IXYSMOSFET N-CH 100V 250A SOT227BIXTH12N50AIXYS / LittelfuseIGBT Module| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.