מפרטי טק IXFN150N10
מפרטים טכניים IXYS - IXFN150N10, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- IXYS - IXFN150N10
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | IXYS Corporation | |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 8mA | |
| Vgs (מקס ') | ±20V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | |
| מארז התקן של הספק | SOT-227B | |
| סִדרָה | HiPerFET™ | |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 12mOhm @ 75A, 10V | |
| פיזור הספק (מקס ') | 520W (Tc) | |
| אריזה / מארז | SOT-227-4, miniBLOC | |
| חֲבִילָה | Bulk |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Chassis Mount | |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 9000 pF @ 25 V | |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 360 nC @ 10 V | |
| סוג FET | N-Channel | |
| מאפיין FET | - | |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 100 V | |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 150A (Tc) | |
| מספר מוצר בסיס | IXFN150 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- IXYS IXFN150N10.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IXFN150N10 | IXFN160N30T | IXFN120N65X2 | IXFN170N30P |
| יַצרָן | IXYS | IXYS | IXYS | IXYS |
| אריזה / מארז | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC | SOT-227-4, miniBLOC |
| פיזור הספק (מקס ') | 520W (Tc) | 900W (Tc) | 890W (Tc) | 890W (Tc) |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| כונן מתח (מקס RDS ב, Min Rds ב) | 10V | 10V | 10V | 10V |
| Vgs (th) (מקס) @ Id | 4V @ 8mA | 5V @ 8mA | 5.5V @ 8mA | 4.5V @ 1mA |
| זרם - רציף Drain (Id) @ 25 ° C | 150A (Tc) | 130A (Tc) | 108A (Tc) | 138A (Tc) |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| שער שער (QG) (מקס) @ Vgs | 360 nC @ 10 V | 335 nC @ 10 V | 225 nC @ 10 V | 258 nC @ 10 V |
| מספר מוצר בסיס | IXFN150 | IXFN160 | IXFN120 | IXFN170 |
| RDS ב (מקס) @ זיהוי, Vgs | 12mOhm @ 75A, 10V | 19mOhm @ 60A, 10V | 24mOhm @ 54A, 10V | 18mOhm @ 85A, 10V |
| חֲבִילָה | Bulk | Tube | Tube | Tube |
| מאפיין FET | - | - | - | - |
| Vgs (מקס ') | ±20V | ±20V | ±30V | ±20V |
| סוג השמה | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount | Chassis Mount |
| סִדרָה | HiPerFET™ | HiPerFET™, Trench | HiPerFET™, Ultra X2 | HiPerFET™, Polar |
| מארז התקן של הספק | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B | SOT-227B |
| קלט קיבול (Ciss) (מקס) @ VDS | 9000 pF @ 25 V | 28000 pF @ 25 V | 15500 pF @ 25 V | 20000 pF @ 25 V |
| מתח אל מקור מתח (Vdss) | 100 V | 300 V | 650 V | 300 V |
| סוג FET | N-Channel | N-Channel | N-Channel | N-Channel |
הורד IXFN150N10 PDF גיליונות נתונים ותיעוד IXYS עבור IXFN150N10 - IXYS.
IXFN160N30TIXYSMOSFET N-CH 300V 130A SOT227BIXFN120N65X2IXYSMOSFET N-CH 650V 108A SOT227BIXFN170N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 138A SOT-227BIXFN130N30IXYSMOSFET N-CH 300V 130A SOT-227BIXFN120N60A3D1IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN140N20PIXYSMOSFET N-CH 200V 115A SOT227BIXFN140N30PIXYSMOSFET N-CH 300V 110A SOT-227BIXFN170N10IXYSMOSFET N-CH 100V 170A SOT-227BIXFN130N20IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN1704IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN15N100IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN120N25IXYSMOSFET N-CH 250V 120A SOT-227BIXFN140N20IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN170N25X3IXYSMOSFET N-CH 250V 170A SOT227BIXFN132N50P3IXYSMOSFET N-CH 500V 112A SOT227BIXFN1680IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN1701IXYS / LittelfuseIGBT ModuleIXFN150N15IXYSMOSFET N-CH 150V 150A SOT227B| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.