מפרטי טק IXDD414CI
מפרטים טכניים IXYS - IXDD414CI, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- IXYS - IXDD414CI
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | IXYS Corporation | |
| אספקת מתח | 4.5V ~ 35V | |
| מארז התקן של הספק | TO-220-5 | |
| סִדרָה | - | |
| זמן עלייה / סתיו (טיפוסי) | 25ns, 22ns | |
| אריזה / מארז | TO-220-5 | |
| חֲבִילָה | Tube | |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| מספר מנהלי התקנים | 1 |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| סוג השמה | Through Hole | |
| לוגיקה מתח - VIL, VIH | 0.8V, 3.5V | |
| סוג קלט | Non-Inverting | |
| סוג שער | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | |
| התצורה מונחה | Low-Side | |
| זרם - שיא פלט (מקור, סינק) | 14A, 14A | |
| סוג ערוץ | Single | |
| מספר מוצר בסיס | IXDD414 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- IXYS IXDD414CI.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | IXDD414CI | IXDD604SI | IXDD414SI | IXDD408SI |
| יַצרָן | IXYS | IXYS Integrated Circuits Division | IXYS | IXYS |
| סוג השמה | Through Hole | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| מספר מנהלי התקנים | 1 | 2 | 1 | 1 |
| לוגיקה מתח - VIL, VIH | 0.8V, 3.5V | 0.8V, 3V | 0.8V, 3.5V | 0.8V, 3.5V |
| זרם - שיא פלט (מקור, סינק) | 14A, 14A | 4A, 4A | 14A, 14A | 8A, 8A |
| חֲבִילָה | Tube | Tube | Tube | Tube |
| אריזה / מארז | TO-220-5 | 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) Exposed Pad | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| סוג קלט | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting | Non-Inverting |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 125°C (TA) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| אספקת מתח | 4.5V ~ 35V | 4.5V ~ 35V | 4.5V ~ 35V | 4.5V ~ 25V |
| התצורה מונחה | Low-Side | Low-Side | Low-Side | Low-Side |
| מספר מוצר בסיס | IXDD414 | IXDD604 | IXDD414 | IXDD408 |
| מארז התקן של הספק | TO-220-5 | 8-SOIC-EP | 14-SOIC | 8-SOIC |
| זמן עלייה / סתיו (טיפוסי) | 25ns, 22ns | 9ns, 8ns | 25ns, 22ns | 14ns, 15ns |
| סוג ערוץ | Single | Independent | Single | Single |
| סוג שער | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
הורד IXDD414CI PDF גיליונות נתונים ותיעוד IXYS עבור IXDD414CI - IXYS.
IXDD604SIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDD414SIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 14SOICIXDD408SIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXDD404PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDD414PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IXDD609CIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5IXDD609PIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDD408PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IXDD604D2TRIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DFNIXDD504PIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIP
IXDD404SI-16IXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 16SOICIXDD404SIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXDD604SIAIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXDD414YIIXYSIC GATE DRVR LOW-SIDE TO263IXDD609SIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOICIXDD604PIIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8DIPIXDD604SIATRIXYS Integrated Circuits DivisionIC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC
IXD064WJZZQSharp Microelectronics| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.