מפרטי טק DHG10I1800PA
מפרטים טכניים IXYS - DHG10I1800PA, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- IXYS - DHG10I1800PA
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | IXYS Corporation | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 2.23 V @ 10 A | |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 1800 V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | |
| מארז התקן של הספק | TO-220AC | |
| מְהִירוּת | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| סִדרָה | - | |
| זמן שחזור לאחור (trr) | 300 ns |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| אריזה / מארז | TO-220-2 | |
| חֲבִילָה | Tube | |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -55°C ~ 150°C | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 50 µA @ 1800 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 10A | |
| קיבול @ Vr, F | 3pF @ 900V, 1MHz | |
| מספר מוצר בסיס | DHG10 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- IXYS DHG10I1800PA.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | DHG10I1800PA | SB160-E3/73 | 1N5059GP-E3/54 | STPS30SM120ST |
| יַצרָן | IXYS | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | STMicroelectronics |
| סִדרָה | - | - | SUPERECTIFIER® | ECOPACK®2 |
| זמן שחזור לאחור (trr) | 300 ns | - | 2 µs | - |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -55°C ~ 150°C | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | 150°C (Max) |
| מְהִירוּת | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| מארז התקן של הספק | TO-220AC | DO-204AL (DO-41) | DO-204AC (DO-15) | TO-220 |
| חֲבִילָה | Tube | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) | Tube |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 1800 V | 60 V | 200 V | 120 V |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 2.23 V @ 10 A | 650 mV @ 1 A | 1.2 V @ 1 A | 950 mV @ 30 A |
| מספר מוצר בסיס | DHG10 | SB160 | 1N5059 | STPS30 |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | Schottky | Standard | Schottky |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 50 µA @ 1800 V | 500 µA @ 60 V | 5 µA @ 200 V | 275 µA @ 120 V |
| קיבול @ Vr, F | 3pF @ 900V, 1MHz | - | 15pF @ 4V, 1MHz | - |
| אריזה / מארז | TO-220-2 | DO-204AL, DO-41, Axial | DO-204AC, DO-15, Axial | TO-220-3 |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 10A | 1A | 1A | 30A |
הורד DHG10I1800PA PDF גיליונות נתונים ותיעוד IXYS עבור DHG10I1800PA - IXYS.
DHG1000AVS1BAMDSB160-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE SCHOTTKY 60V 1A DO204AL1N5059GP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC
DHG50X600NAIXYSDIODE MODULE 600V 50A SOT227B
DHG10C600PBIXYSDIODE ARRAY GP 600V 5A TO220ABSTPS30SM120STSTMicroelectronicsDIODE SCHOTTKY 120V 30A TO220
DHG60I1200HAIXYSDIODE GEN PURP 1.2KV 60A TO247AD
SDM30004Microsemi CorporationDIODE GEN PURP 400V 300A MODULEDHG30I1200HAIXYSDIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247DHG30I600HAIXYSDIODE GEN PURP 600V 30A TO247DHG20C600QBIXYSDIODE ARRAY GP 600V 10A TO3P
DFLS220L-7Diodes IncorporatedDIODE SCHOTTKY 20V 2A PWRDI123
MMSD4148T1onsemiDIODE SWITCH 100V SOD123DHG50X1200NAIXYSDIODE MODULE 1.2KV 25A SOT227B
1N4151W-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 50V 150MA SOD123DHG100X600NAIXYSDIODE MODULE 600V 100A SOT227B
1N3880Microchip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIERDHG100X1200NAIXYSDIODE MODULE 1.2KV 50A SOT227B| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.