מפרטי טק GBJ25M
מפרטים טכניים GeneSiC Semiconductor - GBJ25M, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- GeneSiC Semiconductor - GBJ25M
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | GeneSiC Semiconductor | |
| מתח - פסגה לאחור (מקס) | 1 kV | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.05 V @ 12.5 A | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | |
| מארז התקן של הספק | GBJ | |
| סִדרָה | - | |
| אריזה / מארז | 4-SIP, GBJ |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| חֲבִילָה | Bulk | |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| סוג דיודה | Single Phase | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 10 µA @ 1000 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 25 A | |
| מספר מוצר בסיס | GBJ25 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- GeneSiC Semiconductor GBJ25M.
| תכונה של מוצר |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | GBJ25M | GBJ25L06 | GBJ25J | GBJ25K |
| יַצרָן | GeneSiC Semiconductor | Diodes Incorporated | GeneSiC Semiconductor | GeneSiC Semiconductor |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 10 µA @ 1000 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 600 V | 10 µA @ 800 V |
| סוג דיודה | Single Phase | Single Phase | Single Phase | Single Phase |
| טמפרטורת פעולה | -55°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 25 A | 25 A | 25 A | 25 A |
| מארז התקן של הספק | GBJ | GBJ | GBJ | GBJ |
| מספר מוצר בסיס | GBJ25 | - | GBJ25 | GBJ25 |
| חֲבִילָה | Bulk | - | Bulk | Bulk |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.05 V @ 12.5 A | 0.92 V @ 12.5 A | 1.05 V @ 12.5 A | 1.05 V @ 12.5 A |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| מתח - פסגה לאחור (מקס) | 1 kV | 600 V | 600 V | 800 V |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | Standard | Standard | Standard |
| אריזה / מארז | 4-SIP, GBJ | 4-SIP, GBJ | 4-SIP, GBJ | 4-SIP, GBJ |
הורד GBJ25M PDF גיליונות נתונים ותיעוד GeneSiC Semiconductor עבור GBJ25M - GeneSiC Semiconductor.
GBJ25L06Diodes IncorporatedMEDIUM/HIGH POWER BRIDGE GBJ TUB
GBJ25ALITEONGBJ25JGeneSiC Semiconductor600V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGEGBJ25KGeneSiC Semiconductor800V 25A GBJ SINGLE PHASE BRIDGE
GBJ3510Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 1000V 35A 6KBJGBJ2510FLITEON
GBJ2510Diodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJ
GBJ25MSURGE25A -1000V - GBJ - BRIDGE
GBJ3508SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 800V 35A GBJ
GBJ3508HY Electronic (Cayman) LimitedGLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIEGBJ3510-FDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 3.6A GBJGBJ25JSURGE25A -600V - GBJ - BRIDGEGBJ3508Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,LtdRECT BRIDGE 800V 35A 6KBJ
GBJ25KGood-Ark SemiconductorBRIDGE RECTIFIER, GENERAL PURPOSGBJ25JLLITEONGBJ3510SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 35A GBJGBJ2510-FDiodes IncorporatedBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 25A GBJGBJ25V10LITEON| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.