מפרטי טק 1N3879
מפרטים טכניים GeneSiC Semiconductor - 1N3879, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- GeneSiC Semiconductor - 1N3879
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | GeneSiC Semiconductor | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.4 V @ 6 A | |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 50 V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | |
| מארז התקן של הספק | DO-4 | |
| מְהִירוּת | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| סִדרָה | - | |
| זמן שחזור לאחור (trr) | 200 ns |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| אריזה / מארז | DO-203AA, DO-4, Stud | |
| חֲבִילָה | Bulk | |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 150°C | |
| סוג השמה | Chassis, Stud Mount | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 15 µA @ 50 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 6A | |
| קיבול @ Vr, F | - | |
| מספר מוצר בסיס | 1N3879 |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- GeneSiC Semiconductor 1N3879.
| תכונה של מוצר |  |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | 1N3879 | 1N3768R | 1N3879R | 1N3879 |
| יַצרָן | GeneSiC Semiconductor | Microchip Technology | Microchip Technology | Microchip Technology |
| חֲבִילָה | Bulk | Bulk | Bulk | Bulk |
| מְהִירוּת | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | Standard, Reverse Polarity | Standard, Reverse Polarity | Standard |
| מספר מוצר בסיס | 1N3879 | 1N3768 | 1N3879 | 1N3879 |
| זמן שחזור לאחור (trr) | 200 ns | - | 200 ns | 200 ns |
| מארז התקן של הספק | DO-4 | DO-203AB (DO-5) | DO-4 (DO-203AA) | DO-4 (DO-203AA) |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 6A | 35A | 6A | 6A |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 15 µA @ 50 V | 10 µA @ 1000 V | 15 µA @ 50 V | 15 µA @ 50 V |
| אריזה / מארז | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AB, DO-5, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud | DO-203AA, DO-4, Stud |
| סוג השמה | Chassis, Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount | Stud Mount |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 150°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C | -65°C ~ 175°C |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 50 V | 1000 V | 50 V | 50 V |
| קיבול @ Vr, F | - | - | 115pF @ 10V, 1MHz | 115pF @ 10V, 1MHz |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.4 V @ 6 A | 1.4 V @ 110 A | 1.4 V @ 20 A | 1.4 V @ 20 A |
הורד 1N3879 PDF גיליונות נתונים ותיעוד GeneSiC Semiconductor עבור 1N3879 - GeneSiC Semiconductor.
1N3879JANTXMSC/STIGBT Module1N3768RMicrochip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3879RMicrochip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER
1N3879RSolid State Inc.DO4 6 AMP FAST RECOVERY RECTIFIE1N3768AMSCIGBT Module1N3879RJANTXMSC/STIGBT Module1N3879Microchip TechnologyFAST RECOVERY RECTIFIER
1N3768RSolid State Inc.DIODE GEN PURP REV 1KV 40A DO51N3768Microchip TechnologySTANDARD RECTIFIER1N3879Solid State Inc.DO4 6 AMP FAST RECOVERY RECTIFIE
1N3821AAmphenol SSI Technologies1N3768Solid State Inc.DIODE GEN PURP 1KV 40A DO5
1N3767GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 900V 35A DO51N3879MotorolaDIODE GEN PURP 50V 6A DO203AA1N3768RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 1KV 35A DO51N3879JANMSC/STIGBT Module1N3768GeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP 1KV 35A DO51N3879RGeneSiC SemiconductorDIODE GEN PURP REV 50V 6A DO4| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.