מפרטים
מפרטי טק AFT09MP055NR1
מפרטים טכניים NXP Semiconductors - AFT09MP055NR1, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- NXP Semiconductors - AFT09MP055NR1
| תכונה של מוצר |
ערך תכונה
| |
| יַצרָן |
NXP Semiconductors |
|
| מתח - בדיקה |
12.5 V |
|
| מתח - נקוב |
40 V |
|
| טֶכנוֹלוֹגִיָה |
LDMOS (Dual) |
|
| מארז התקן של הספק |
TO-270 WB-4 |
|
| סִדרָה |
- |
|
| הספק - יציאה |
57W |
|
| אריזה / מארז |
TO-270AB |
|
| תכונה של מוצר |
ערך תכונה
| |
| חֲבִילָה |
Bulk |
|
| ספרת רעש |
- |
|
| סוג השמה |
Surface Mount |
|
| לְהַשִׂיג |
15.7dB @ 870MHz |
|
| תדירות |
764MHz ~ 941MHz |
|
| דירוג נוכחי (AMPS) |
- |
|
| נוכחי - מבחן |
550 mA |
|
| תְצוּרָה |
2 N-Channel |
|
משלוח
זמן משלוח
ניתן לשלוח פריטים במלאי תוך 24 שעות.חלקים מסוימים יסודרו למשלוח תוך 1-2 יום מהתאריך כל הפריטים מגיעים למחסן שלנו.וספינות Allelco מזמינות פעם ביום סמוך לשעה 17:00, למעט יום ראשון.לאחר נשלחת הסחורה, זמן המסירה המשוער תלוי בשיטות המשלוח וביעד המסירה.הטבלה שלהלן מופיעה הם הזמן הלוגיסטי עבור כמה מדינות משותפות.
דמי משלוח
- השתמש בחשבון Express שלך למשלוח אם יש לך כזה.
- השתמש בחשבון שלנו למשלוח.עיין בטבלה שלהלן לקבלת המטענים המשוערים.
(מסגרת זמן / מדינות / גודל אריזה שונה מחיר שונה.)
שיטת אספקה
- משלוח נפוץ גלובלי על ידי DHL / UPS / FedEx / TNT / EMS / SF אנו תומכים.
- אחרים דרכי משלוח נוספות, אנא צרו קשר עם מנהל הלקוחות שלכם.
| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות |
| אזור |
מדינה |
זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה |
ארצות הברית |
5 |
| בְּרָזִיל |
7 |
| אֵירוֹפָּה |
גֶרמָנִיָה |
5 |
| הממלכה המאוחדת |
4 |
| אִיטַלִיָה |
5 |
| אוקיאניה |
אוֹסטְרַלִיָה |
6 |
| ניו זילנד |
5 |
| אַסְיָה |
הוֹדוּ |
4 |
| יפן |
4 |
| המזרח התיכון |
ישראל |
6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx |
| חיובי משלוח (ק"ג) |
התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג |
$ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג |
$ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג |
$ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
- הערה:
- הטבלה לעיל מיועדת להתייחסות בלבד.יתכן שיש הטיה של נתונים עבור הגורמים הבלתי נשלטים.
צור איתנו קשר אם יש לך שאלות.
AFT09MS015NT1Freescale SemiconductorRF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR