מפרטי טק RBV5010
מפרטים טכניים EIC SEMICONDUCTOR INC. - RBV5010, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- EIC SEMICONDUCTOR INC. - RBV5010
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | EIC Semiconductor, Inc. | |
| מתח - פסגה לאחור (מקס) | 1 kV | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.1 V @ 25 A | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | |
| מארז התקן של הספק | RBV-25 | |
| סִדרָה | - | |
| אריזה / מארז | 4-SIP, RBV-25 |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| חֲבִילָה | Bag | |
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| סוג דיודה | Single Phase | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 10 µA @ 1000 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 50 A |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- EIC SEMICONDUCTOR INC. RBV5010.
| תכונה של מוצר | |
 |
 |
 |
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | RBV5010 | MSD200-08 | GBJ2010 | MB2S-E3/45 |
| יַצרָן | EIC SEMICONDUCTOR INC. | Microsemi Corporation | SMC Diode Solutions | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| אריזה / מארז | 4-SIP, RBV-25 | M3 | 4-ESIP | TO-269AA, 4-BESOP |
| מתח - פסגה לאחור (מקס) | 1 kV | 800 V | 1 kV | 200 V |
| סוג השמה | Through Hole | Chassis Mount | Through Hole | Surface Mount |
| חֲבִילָה | Bag | Bulk | Tube | Tube |
| מארז התקן של הספק | RBV-25 | M3 | GBJ | TO-269AA (MBS) |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Standard | Standard | Standard | Standard |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 10 µA @ 1000 V | 300 µA @ 800 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 200 V |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| סוג דיודה | Single Phase | Three Phase | Single Phase | Single Phase |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.1 V @ 25 A | 1.55 V @ 300 A | 1.1 V @ 20 A | 1 V @ 400 mA |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 50 A | 200 A | 20 A | 500 mA |
| טמפרטורת פעולה | -40°C ~ 150°C (TJ) | -40°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
הורד RBV5010 PDF גיליונות נתונים ותיעוד EIC SEMICONDUCTOR INC. עבור RBV5010 - EIC SEMICONDUCTOR INC..
RBV-1506SSanken Electric Co., Ltd.RBV-404Sanken Electric Co., Ltd.RBV-2506Sanken Electric Co., Ltd.IGBT ModuleMSD200-08Microsemi CorporationBRIDGE RECT 3PHASE 800V 200A M3GBJ2010SMC Diode SolutionsBRIDGE RECT 1PHASE 1KV 20A GBJRBV-604Sanken Electric Co., Ltd.MB2S-E3/45Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1P 200V TO269AARBV5006EIC SEMICONDUCTOR INC.BRIGDE RECTIFIER 50A 600V, CASE
2KBP08M-E4/51Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionBRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A KBPMRBV-608Sanken Electric Co., Ltd.RBV-406Sanken Electric Co., Ltd.RBV606EIC SEMICONDUCTOR INC.BRIGDE RECTIFIER 6A 600V, CASE TRBV608SKRBV-40CMITSUBISHIRBV-1506IGBT ModuleRBV-606Sanken Electric Co., Ltd.
GBPC2510WGeneSiC SemiconductorBRIDGE RECT 1P 1KV 25A GBPC-W
NSR1030QMUTAGonsemiBRIDGE RECT 1PHASE 30V 1A 4UDFN| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.