מפרטי טק BYV26E
מפרטים טכניים EIC SEMICONDUCTOR INC. - BYV26E, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- EIC SEMICONDUCTOR INC. - BYV26E
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | EIC Semiconductor, Inc. | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 2.5 V @ 1 A | |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 1000 V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Avalanche | |
| מארז התקן של הספק | DO-41 | |
| מְהִירוּת | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | |
| סִדרָה | - | |
| זמן שחזור לאחור (trr) | 75 ns |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| אריזה / מארז | DO-204AL, DO-41, Axial | |
| חֲבִילָה | Bag | |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 175°C | |
| סוג השמה | Through Hole | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 1000 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 1A | |
| קיבול @ Vr, F | - |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- EIC SEMICONDUCTOR INC. BYV26E.
| תכונה של מוצר | |
 |
|
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | BYV26E | BYV26C-TAP | BYV26E-TAP | BYV26C-TR |
| יַצרָן | EIC SEMICONDUCTOR INC. | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| קיבול @ Vr, F | - | - | - | - |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 2.5 V @ 1 A | 2.5 V @ 1 A | 2.5 V @ 1 A | 2.5 V @ 1 A |
| מארז התקן של הספק | DO-41 | SOD-57 | SOD-57 | SOD-57 |
| זמן שחזור לאחור (trr) | 75 ns | 30 ns | 75 ns | 30 ns |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| סוג השמה | Through Hole | Through Hole | Through Hole | Through Hole |
| אריזה / מארז | DO-204AL, DO-41, Axial | SOD-57, Axial | SOD-57, Axial | SOD-57, Axial |
| חֲבִילָה | Bag | Cut Tape (CT) | Cut Tape (CT) | Tape & Reel (TR) |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Avalanche | Avalanche | Avalanche | Avalanche |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -65°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C | -55°C ~ 175°C |
| מְהִירוּת | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 1000 V | 600 V | 1000 V | 600 V |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 600 V | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 600 V |
הורד BYV26E PDF גיליונות נתונים ותיעוד EIC SEMICONDUCTOR INC. עבור BYV26E - EIC SEMICONDUCTOR INC..
BYV26C-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57BYV26CGPGULFSEMI
BYV26FLUMILEDSBYV26GLUMILEDSBYV26C AMPFAGOR
BYV26DMicrel / Microchip TechnologyBYV26EAMPFAGORBYV26E-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 1KV 1A SOD57BYV26C-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 600V 1A SOD57BYV27-100LUMILEDSBYV27-100-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 100V 2A SOD57
BYV26C-E3/73Electro-Films (EFI) / VishayBYV26D-TAPVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57BYV26EGPElectro-Films (EFI) / VishayBYV26CLUMILEDSBYV26D-TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 800V 1A SOD57
BYV26EGP-E3/73Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 1KV 1A DO204ACBYV26EGP-E3/54Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.