מפרטי טק BYG10M
מפרטים טכניים Diotec Semiconductor - BYG10M, תכונות, פרמטרים וחלקים עם מפרטים דומים ל- Diotec Semiconductor - BYG10M
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| יַצרָן | Diotec Semiconductor | |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.15 V @ 1.5 A | |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 1000 V | |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Avalanche | |
| מארז התקן של הספק | DO-214AC, SMA | |
| מְהִירוּת | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | |
| סִדרָה | - | |
| זמן שחזור לאחור (trr) | 1.5 µs |
| תכונה של מוצר | ערך תכונה | |
|---|---|---|
| אריזה / מארז | DO-214AC, SMA | |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -50°C ~ 150°C | |
| סוג השמה | Surface Mount | |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 1000 V | |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 1.5A | |
| קיבול @ Vr, F | - |
לשלושת החלקים מימין יש מפרטים דומים ל- Diotec Semiconductor BYG10M.
| תכונה של מוצר | |
|
 |
|
|---|---|---|---|---|
| מספר חלק | BYG10M | BYG10Y | BYG10JHE3/TR | BYG10K-M3/TR |
| יַצרָן | Diotec Semiconductor | Diotec Semiconductor | Vishay Semiconductor Diodes Division | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| טמפרטורת פעולה - צומת | -50°C ~ 150°C | -50°C ~ 150°C | 4µs | -55°C ~ 150°C |
| טֶכנוֹלוֹגִיָה | Avalanche | Avalanche | - | Avalanche |
| שוטף - ממוצע ממוצעת (Io) | 1.5A | 1.5A | - | 1.5A |
| קיבול @ Vr, F | - | - | -55°C ~ 150°C | - |
| אריזה / מארז | DO-214AC, SMA | DO-214AC, SMA | - | DO-214AC, SMA |
| מארז התקן של הספק | DO-214AC, SMA | DO-214AC (SMA) | - | DO-214AC (SMA) |
| סוג השמה | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| מתח - DC הפוך (Vr) (מקס) | 1000 V | 1600 V | - | 800 V |
| סִדרָה | - | - | - | - |
| מְהִירוּת | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | - | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| זרם - היפוך הפוך @ Vr | 5 µA @ 1000 V | 5 µA @ 1.6 V | 1.15V @ 1.5A | 1 µA @ 800 V |
| חֲבִילָה | Tape & Reel (TR) | Tape & Reel (TR) | - | Tape & Reel (TR) |
| מתח - קדמי (VF) (מקס ') @ if | 1.15 V @ 1.5 A | 1.15 V @ 1.5 A | 1.5A | 1.15 V @ 1.5 A |
| זמן שחזור לאחור (trr) | 1.5 µs | 1.5 µs | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | 4 µs |
הורד BYG10M PDF גיליונות נתונים ותיעוד Diotec Semiconductor עבור BYG10M - Diotec Semiconductor.
BYG10J-TRElectro-Films (EFI) / VishayBYG10YDiotec SemiconductorDIODE AVAL 1.6KV 1.5A DO214ACBYG10JHE3/TRVishay Semiconductor Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 600V 1.5ABYG10K-M3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 800V 1.5A DO214ACBYG10M-E3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214ACBYG10M-TR3Electro-Films (EFI) / VishayBYG10K-TRElectro-Films (EFI) / VishayBYG10M-E3/TR3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214ACBYG10K-E3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 800V 1.5A DO214ACBYG10M-TRElectro-Films (EFI) / VishayBYG10J-E3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 600V 1.5A DO214ACBYG10J-M3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 600V 1.5A DO214ACBYG10M-M3/TRVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214ACBYG10Y(SM520A)VISHAYMASBYG10J-E3/TR3Vishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVAL 600V 1.5A DO214ACBYG10M-E3-TRElectro-Films (EFI) / VishayBYG10KElectro-Films (EFI) / Vishay
BYG10MHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes DivisionDIODE AVALANCHE 1KV 1.5A DO214AC| מדינות נפוצות התייחסות בזמן לוגיסטיות | ||
|---|---|---|
| אזור | מדינה | זמן לוגיסטי (יום) |
| אמריקה | ארצות הברית | 5 |
| בְּרָזִיל | 7 | |
| אֵירוֹפָּה | גֶרמָנִיָה | 5 |
| הממלכה המאוחדת | 4 | |
| אִיטַלִיָה | 5 | |
| אוקיאניה | אוֹסטְרַלִיָה | 6 |
| ניו זילנד | 5 | |
| אַסְיָה | הוֹדוּ | 4 |
| יפן | 4 | |
| המזרח התיכון | ישראל | 6 |
| התייחסות לדמי משלוח DHL ו- FedEx | |
|---|---|
| חיובי משלוח (ק"ג) | התייחסות ל- DHL ($ $) |
| 0.00 ק"ג -1.00 ק"ג | $ 30.00 דולר - $ 60.00 דולר |
| 1.00 ק"ג 2.00 ק"ג | $ 40.00 דולר - $ 80.00 דולר |
| 2.00 ק"ג -3.00 ק"ג | $ 50.00 דולר - $ 100.00 דולר |
רוצה מחיר טוב יותר? הוסף לעגלה ו- להגיש RFQ עכשיו, ניצור איתך קשר מייד.